Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF8P20165WHSR5
MRF8P20165WHSR5

MRF8P20165WHSR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF8P20165WHSR5
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4Все характеристики

Минимальная цена MRF8P20165WHSR5 при покупке от 3 шт 22964.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF8P20165WHSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF8P20165WHSR5

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.88GHz ~ 2.025GHz
  • Усиление
    14.8dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Тестовый ток
    550 mA
  • Мощность передачи
    37W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    NI-780S-4
  • Исполнение корпуса
    NI-780S-4
Техническая документация
 MRF8P20165WHSR5.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 50 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 3
    22 964 ₽

Минимально и кратно 3 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF8P20165WHSR5
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4Все характеристики

Минимальная цена MRF8P20165WHSR5 при покупке от 3 шт 22964.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF8P20165WHSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF8P20165WHSR5

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.88GHz ~ 2.025GHz
  • Усиление
    14.8dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Тестовый ток
    550 mA
  • Мощность передачи
    37W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    NI-780S-4
  • Исполнение корпуса
    NI-780S-4
Техническая документация
 MRF8P20165WHSR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    AFT09S282NR3Транзистор: FET RF 70V 960MHZ OM-780-2
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    MRF6VP21KHR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    BF904AWR,115Транзистор: MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R
    CGHV27060MPТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    MRF136Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    BLC8G27LS-140AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
    NE3511S02-AHJ-FET NCH 13.5DB S02
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    BLF2425M7LS140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    VRF154FLТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
    NE3521M04-T2-AТранзистор: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
    MRF7S27130HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    BLF182XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    BLL6G1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A
    BLL6H0514L-130,112Транзистор
    CGH40006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
    BLC8G27LS-60AVZТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    BLF647PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    BLF7G24LS-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    BLF2425M7LS250P,11Транзистор

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП