Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MRF8S9120NR3

MRF8S9120NR3

MRF8S9120NR3
;
MRF8S9120NR3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MRF8S9120NR3 при покупке от 1 шт 16746.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF8S9120NR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF8S9120NR3

MRF8S9120NR3 NXP USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 28 В
    • Максимальная мощность выходного сигнала: до 40 Вт
    • Коэффициент усиления: до 65 dB
    • Частота работы: до 7 GHz
    • Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность выходного сигнала
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Радиоэлектронная аппаратура
    • Системы спутниковой связи
    • Системы мобильной связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Сотовые сети и базовые станции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Спутниковые системы связи
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRF8S9120NR3

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    960MHz
  • Усиление
    19.8dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    33W
  • Нормальное напряжение
    70 V
  • Корпус
    OM-780-2
  • Исполнение корпуса
    OM-780-2

Техническая документация

MRF8S9120NR3.pdf
pdf. 0 kb
  • 40 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    16 746 ₽
  • 10
    13 984 ₽
  • 25
    13 295 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MRF8S9120NR3 при покупке от 1 шт 16746.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF8S9120NR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF8S9120NR3

MRF8S9120NR3 NXP USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 28 В
    • Максимальная мощность выходного сигнала: до 40 Вт
    • Коэффициент усиления: до 65 dB
    • Частота работы: до 7 GHz
    • Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность выходного сигнала
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Радиоэлектронная аппаратура
    • Системы спутниковой связи
    • Системы мобильной связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Сотовые сети и базовые станции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Спутниковые системы связи
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRF8S9120NR3

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    960MHz
  • Усиление
    19.8dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    33W
  • Нормальное напряжение
    70 V
  • Корпус
    OM-780-2
  • Исполнение корпуса
    OM-780-2

Техническая документация

MRF8S9120NR3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории