MRFG35010AR5

MRFG35010AR5 Freescale Semiconductor Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

• Основные параметры:
• Мощность (Ptot): 350 Вт
• Рабочий напряжение (Vds): 100 В
• Максимальная токовая плотность (Jf): 28 А/мм²
• Коэффициент усиления (β): 1000
• Частота нарезки (f_SW): до 100 МГц
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Устойчивость к перегреву
• Низкий коэффициент динамического сопротивления
• Высокая надежность
• Эффективное управление мощностью
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при высокой мощности
• Высокие требования к системе управления
• Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
• Общее назначение:
• Использование в радиочастотных приборах
• Применение в системах передачи сигнала
• Работа в радиолокационных аппаратах
• Высокомощные усилители
• В каких устройствах применяется:
• Радиостанции
• Системы спутниковой связи
• Мобильные телефоны
• Беспроводные сети
• Радарные системы