Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MRFX1K80NR5

MRFX1K80NR5

MRFX1K80NR5
;
MRFX1K80NR5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MRFX1K80NR5 при покупке от 1 шт 59484.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFX1K80NR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRFX1K80NR5

MRFX1K80NR5 NXP USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET LDMOS (высокочастотный MOSFET с лепестковой структурой)
    • Рабочее напряжение: 65В
    • Максимальная токовая плотность: 1,8 кА/см²
    • Коэффициент усиления: более 20 дБ
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к шумам
    • Низкое сопротивление в смещении
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Необходимость использования радиационно-стойких материалов
    • Высокая стоимость
  • Общее назначение:
    • Передача высокочастотных сигналов в радиотехнических системах
    • Усиление сигналов в радиостанциях и мобильных телефонах
    • Использование в антеннах и приемниках
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Телевизионные приемники
    • Автомобильные системы навигации и связи
    • Промышленное оборудование для передачи данных
Выбрано: Показать

Характеристики MRFX1K80NR5

Техническая документация

MRFX1K80NR5.pdf
pdf. 0 kb
  • 34 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 484 ₽
  • 10
    51 340 ₽
  • 25
    49 308 ₽
  • 50
    48 082 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MRFX1K80NR5 при покупке от 1 шт 59484.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFX1K80NR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRFX1K80NR5

MRFX1K80NR5 NXP USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET LDMOS (высокочастотный MOSFET с лепестковой структурой)
    • Рабочее напряжение: 65В
    • Максимальная токовая плотность: 1,8 кА/см²
    • Коэффициент усиления: более 20 дБ
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к шумам
    • Низкое сопротивление в смещении
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Необходимость использования радиационно-стойких материалов
    • Высокая стоимость
  • Общее назначение:
    • Передача высокочастотных сигналов в радиотехнических системах
    • Усиление сигналов в радиостанциях и мобильных телефонах
    • Использование в антеннах и приемниках
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Телевизионные приемники
    • Автомобильные системы навигации и связи
    • Промышленное оборудование для передачи данных
Выбрано: Показать

Характеристики MRFX1K80NR5

Техническая документация

MRFX1K80NR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории