Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
MRFX600GSR5
  • В избранное
  • В сравнение
MRFX600GSR5

MRFX600GSR5

MRFX600GSR5
;
MRFX600GSR5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRFX600GSR5
  • Описание:
    Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65VВсе характеристики

Минимальная цена MRFX600GSR5 при покупке от 1 шт 47106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFX600GSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRFX600GSR5

MRFX600GSR5 NXP USA Inc. Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 МГц 65В

  • Основные параметры:
    • Мощность: 600 Вт
    • Частота: 400 МГц
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Тип: LDMOS (Легкий двойной мост)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при умеренной частоте
    • Высокое отношение сигнал/шум
    • Устойчивость к повреждениям
    • Эффективность в различных диапазонах частот
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные радиостанции
    • Инфраструктура передачи данных
  • Применение:
    • Сотовые сети
    • Беспроводные коммуникационные системы
    • Телевещание
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики MRFX600GSR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.8MHz ~ 400MHz
  • Усиление
    26.4dB
  • Тестовое напряжение
    65 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    179 V
  • Корпус
    NI-780GS-4L
  • Исполнение корпуса
    NI-780GS-4L
  • Base Product Number
    MRFX600

Техническая документация

 MRFX600GSR5.pdf
pdf. 0 kb
  • 48 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    47 106 ₽
  • 10
    40 328 ₽
  • 25
    38 636 ₽
  • 50
    37 617 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRFX600GSR5
  • Описание:
    Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65VВсе характеристики

Минимальная цена MRFX600GSR5 при покупке от 1 шт 47106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFX600GSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRFX600GSR5

MRFX600GSR5 NXP USA Inc. Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 МГц 65В

  • Основные параметры:
    • Мощность: 600 Вт
    • Частота: 400 МГц
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Тип: LDMOS (Легкий двойной мост)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при умеренной частоте
    • Высокое отношение сигнал/шум
    • Устойчивость к повреждениям
    • Эффективность в различных диапазонах частот
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные радиостанции
    • Инфраструктура передачи данных
  • Применение:
    • Сотовые сети
    • Беспроводные коммуникационные системы
    • Телевещание
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики MRFX600GSR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.8MHz ~ 400MHz
  • Усиление
    26.4dB
  • Тестовое напряжение
    65 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    179 V
  • Корпус
    NI-780GS-4L
  • Исполнение корпуса
    NI-780GS-4L
  • Base Product Number
    MRFX600

Техническая документация

 MRFX600GSR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFM907NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
    800Кешбэк 120 баллов
    CE3512K2-C1Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    309Кешбэк 46 баллов
    CPH3303-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов
    J211-D74ZJFET N-CH 25V 20MA TO92
    52Кешбэк 7 баллов
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    137Кешбэк 20 баллов
    STB60N06HDT4Транзистор: NFET D2PAK SPCL 60V TR
    232Кешбэк 34 балла
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    BFL4036-SNCH 10V DRIVE SERIES
    117Кешбэк 17 баллов
    FSS172-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    83Кешбэк 12 баллов
    MCH6608-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    NTD4860NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 65A 0.0075R
    85Кешбэк 12 баллов
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    132Кешбэк 19 баллов
    NTD4865NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 44A 0.0011R
    48Кешбэк 7 баллов
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    196Кешбэк 29 баллов
    2SK853A(1)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    89Кешбэк 13 баллов
    CPH5819-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    31.5Кешбэк 4 балла
    MCH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    48Кешбэк 7 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    196Кешбэк 29 баллов
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    422Кешбэк 63 балла
    FDMC0223Транзистор: N-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFET
    41Кешбэк 6 баллов
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    224Кешбэк 33 балла
    CPH3426-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    22.2Кешбэк 3 балла
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    85Кешбэк 12 баллов
    CPH6302-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    107Кешбэк 16 баллов
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    369Кешбэк 55 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП