Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - ВЧ
MSAT-N25
  • В избранное
  • В сравнение
MSAT-N25

MSAT-N25

MSAT-N25
;
MSAT-N25

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MSAT-N25
  • Описание:
    DIODE,NIP ATTENUATOR DIODE-PACKAВсе характеристики

Минимальная цена MSAT-N25 при покупке от 1 шт 2300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSAT-N25 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSAT-N25

MSAT-N25 MACOM Technology Solutions DIODE, NIP ATTENUATOR DIODE-PACK

  • Основные параметры:
    • Тип: NIP (Non-Inverting Phase) диод-аттенюатор
    • Частота работы: до 25 ГГц
    • Аттенуация: 10 дБ
    • Максимальная мощность: 30 дБм
    • Эффективное сопротивление: 50 Ом
    • Динамический диапазон: до 25 ГГц
  • Плюсы:
    • Высокая точность аттенуации
    • Устойчивость к внешним воздействиям
    • Низкий уровень шума
    • Малый размер и вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами аттенюаторов
    • Требует специального оборудования для настройки
    • Могут быть чувствительны к вибрациям и переносимым нагрузкам
  • Общее назначение:
    • Контроль уровня сигналов в радиосистемах
    • Измерение мощности сигналов
    • Защита чувствительных устройств от переизбытка мощности
    • Тестирование и диагностика радиоустройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиорелays
    • Мобильные сети
    • Коммуникационные системы
    • Лабораторное оборудование
    • Промышленное тестовое оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MSAT-N25

  • Тип диода
    PIN - Single
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200V
  • Максимальный ток
    200 mA
  • Сопротивление @ If, F
    2.5Ohm @ 10mA, 500MHz
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Корпус
    0805 (2012 Metric)
  • Исполнение корпуса
    2012

Техническая документация

 MSAT-N25.pdf
pdf. 0 kb
  • 280 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 300 ₽
  • 10
    2 159 ₽
  • 100
    1 804 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MSAT-N25
  • Описание:
    DIODE,NIP ATTENUATOR DIODE-PACKAВсе характеристики

Минимальная цена MSAT-N25 при покупке от 1 шт 2300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSAT-N25 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSAT-N25

MSAT-N25 MACOM Technology Solutions DIODE, NIP ATTENUATOR DIODE-PACK

  • Основные параметры:
    • Тип: NIP (Non-Inverting Phase) диод-аттенюатор
    • Частота работы: до 25 ГГц
    • Аттенуация: 10 дБ
    • Максимальная мощность: 30 дБм
    • Эффективное сопротивление: 50 Ом
    • Динамический диапазон: до 25 ГГц
  • Плюсы:
    • Высокая точность аттенуации
    • Устойчивость к внешним воздействиям
    • Низкий уровень шума
    • Малый размер и вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами аттенюаторов
    • Требует специального оборудования для настройки
    • Могут быть чувствительны к вибрациям и переносимым нагрузкам
  • Общее назначение:
    • Контроль уровня сигналов в радиосистемах
    • Измерение мощности сигналов
    • Защита чувствительных устройств от переизбытка мощности
    • Тестирование и диагностика радиоустройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиорелays
    • Мобильные сети
    • Коммуникационные системы
    • Лабораторное оборудование
    • Промышленное тестовое оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MSAT-N25

  • Тип диода
    PIN - Single
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200V
  • Максимальный ток
    200 mA
  • Сопротивление @ If, F
    2.5Ohm @ 10mA, 500MHz
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Корпус
    0805 (2012 Metric)
  • Исполнение корпуса
    2012

Техническая документация

 MSAT-N25.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RN142SMT2RДиод: RF DIODE PIN 60V 100MA SOD-523
    31.6Кешбэк 4 балла
    1SS356VMFHTE-1735V 1.2PF, UMD2, LOW RF BAND SWI
    75Кешбэк 11 баллов
    DAN235FMFHT10635V 1.2PF, UMD3, CATHODE COMMON,
    114Кешбэк 17 баллов
    1SS356VMTE-17BAND SWITCHING DIODES : 1SS356VM
    82Кешбэк 12 баллов
    RN142VMTE-1760V 100MA, SINGLE, LOW RF PIN DI
    69Кешбэк 10 баллов
    DAN235FMT10635V 1.2PF, UMD3, CATHODE COMMON,
    90Кешбэк 13 баллов
    RN779FFHT106RF DIODE PIN 50V UMD3
    103Кешбэк 15 баллов
    RN731VFHTE-17RF DIODE PIN 50V UMD2
    88Кешбэк 13 баллов
    RB876WFHTL5V, 10MA, SERIES CONNECTION, AUT
    164Кешбэк 24 балла
    BAT1704E6327HTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
    26.7Кешбэк 4 балла
    1N3892A12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D
    2 054Кешбэк 308 баллов
    MA4E1339B1-287TДиод: SCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    289Кешбэк 43 балла
    MA4E2054B1-1146TSCHOTTKY LOW BARRIER LEAD FREE P
    362Кешбэк 54 балла
    MA4E1338A1-1141TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    317Кешбэк 47 баллов
    MA4P7447-1141TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    330Кешбэк 49 баллов
    MA4E2501L-1290SCHOTTKY.SURMOUNT,SINGLE,SI
    732Кешбэк 109 баллов
    MA4E1339A1-1141TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    334Кешбэк 50 баллов
    MA4P7433ST-1146TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    359Кешбэк 53 балла
    MA4P7437-1141TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    330Кешбэк 49 баллов
    MA4E1339B1-1146TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    362Кешбэк 54 балла
    MA4GP907GAAS,FLIPCHIP,PIN
    734Кешбэк 110 баллов
    MA4AGP9075 % ALGAAS FLIP CHIP PIN
    993Кешбэк 148 баллов
    MA47047-54DIODE,PIN,GLASS,AXIAL,HI_VOLUME
    8 193Кешбэк 1 228 баллов
    MA4E1340A1-1141TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    334Кешбэк 50 баллов
    MA4L062-134DIODE,PINLIMITER,CHIP
    536Кешбэк 80 баллов
    MA4L401-134Диод: DIODE,PIN,CHIP,OXI
    1 391Кешбэк 208 баллов
    MADS-002054-1146DTLEAD-FREE SCHOTTKY, DUAL PLASTIC
    362Кешбэк 54 балла
    MA4E2508M-1112SCHOTTKY,SURMOUNT,ANTI-PAR,MED B
    764Кешбэк 114 баллов
    MA4P7447CA-287TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    687Кешбэк 103 балла
    MSWSHC-040-40DIODE,PIN SWITCH,2615
    3 766Кешбэк 564 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП