MSC030SDA120K

MSC030SDA120K Microchip Technology Диод:

• UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-220

Основные параметры:

• Максимальное напряжение обратного смещения (VRWM): 120 В
• Максимальная токовая способность (IRMS): 30 А
• Тип диода: СИК СБД (Silicon Carbide Schottky Barrier Diode)
• Форм-фактор корпуса: TO-220
• Область применения: Питание, преобразование энергии, синхронизация

Плюсы:

• Высокая скорость восстановления: Малое время транзисторного состояния при переключении
• Низкое напряжениепри пробое: Оно значительно ниже, чем у других типов диодов
• Эффективность: Высокая эффективность при работе в режиме частотного преобразования
• Термостойкость: Хорошая термическая стабильность даже при высоких температурах

Минусы:

• Стоимость: Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
• Требования к проектированию: Специфические требования к проектированию платы из-за высоких рабочих температур
• Комплексность: Необходимо наличие специализированного оборудования для тестирования и производства

Общее назначение:

• Использование в системах управления энергетическими ресурсами
• Применение в трансформаторах и преобразователях мощности
• Работа в сетевых приборах и источниках питания

В каких устройствах применяется:

• Мощные инверторы
• Системы управления энергетическими ресурсами
• Источники питания
• Переходники напряжения
• Преобразователи напряжения