Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
MSCDC150A70D1PAG
  • В избранное
  • В сравнение
MSCDC150A70D1PAG

MSCDC150A70D1PAG

MSCDC150A70D1PAG
;
MSCDC150A70D1PAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    MSCDC150A70D1PAG
  • Описание:
    PM-DIODE-SIC-SBD-D1PВсе характеристики

Минимальная цена MSCDC150A70D1PAG при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSCDC150A70D1PAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSCDC150A70D1PAG

Микропроводник МСDC150A70D1PAG от компании Microchip Technology:

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 150 В
    • Максимальный ток: 70 А
    • Тип: ПП-диод SBD (Schottky Barrier Diode)
    • Количество элементов: 1
    • Объем пакета: D1P
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжении срабатывания
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Экономичное потребление энергии
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Меньше подходит для высокочастотных применений по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Защита электронных систем от обратного напряжения
    • Ограничение тока в цепях питания
    • Переключение высоковольтных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Мощные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MSCDC150A70D1PAG

  • Конфигурация диода
    1 Pair Series Connection
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    700 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    150A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 150 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    D1P
  • Base Product Number
    MSCDC150

Техническая документация

 MSCDC150A70D1PAG.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    MSCDC150A70D1PAG
  • Описание:
    PM-DIODE-SIC-SBD-D1PВсе характеристики

Минимальная цена MSCDC150A70D1PAG при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSCDC150A70D1PAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSCDC150A70D1PAG

Микропроводник МСDC150A70D1PAG от компании Microchip Technology:

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 150 В
    • Максимальный ток: 70 А
    • Тип: ПП-диод SBD (Schottky Barrier Diode)
    • Количество элементов: 1
    • Объем пакета: D1P
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжении срабатывания
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Экономичное потребление энергии
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Меньше подходит для высокочастотных применений по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Защита электронных систем от обратного напряжения
    • Ограничение тока в цепях питания
    • Переключение высоковольтных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Мощные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MSCDC150A70D1PAG

  • Конфигурация диода
    1 Pair Series Connection
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    700 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    150A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 150 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    D1P
  • Base Product Number
    MSCDC150

Техническая документация

 MSCDC150A70D1PAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAW56HMT116BAW56HM IS HIGH RELIABILITY AND
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS40-06HMT116BAS40-06HM IS SCHOTTKY BARRIER D
    39Кешбэк 5 баллов
    RB548WMTLRB548WM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    39Кешбэк 5 баллов
    RB558WMTLДиод: RB558WM IS SUPER LOW VF SCHOTTKE
    41Кешбэк 6 баллов
    RB715UMTLRB715UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    42Кешбэк 6 баллов
    BAT54AHMT116BAT54AHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
    43Кешбэк 6 баллов
    BAT54CHMT116BAT54CHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
    43Кешбэк 6 баллов
    RB715WMFHTLAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    46Кешбэк 6 баллов
    BAW156HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    48Кешбэк 7 баллов
    BAW56HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    50Кешбэк 7 баллов
    BAW56HMFHT116DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
    50Кешбэк 7 баллов
    DAP202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    54Кешбэк 8 баллов
    BAV170HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    54Кешбэк 8 баллов
    DAP222WMFHTLSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    54Кешбэк 8 баллов
    BAW156HYT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    BAV199HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    DAN202KFHT146ROHM'S SWITCHING DIODES, INCLUDI
    61Кешбэк 9 баллов
    BAV199UMTLТранзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SERIES
    61Кешбэк 9 баллов
    RB706WM-40TLДиод: 40V, 30MA, SOT-416FL, SCHOTTKY B
    61Кешбэк 9 баллов
    BAV70HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    61Кешбэк 9 баллов
    BAW56HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    65Кешбэк 9 баллов
    DAN202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    65Кешбэк 9 баллов
    BAV99HYT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    67Кешбэк 10 баллов
    BAV70HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV199HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV170HYFHT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    DAP222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    70Кешбэк 10 баллов
    DAP202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    DAN202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    BAV99HYFHT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП