Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
MSJP11N65-BP
  • В избранное
  • В сравнение
MSJP11N65-BP

MSJP11N65-BP

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    MSJP11N65-BP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 11A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена MSJP11N65-BP при покупке от 1 шт 479.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSJP11N65-BP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MSJP11N65-BP

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    901 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB (H)
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    MSJP11

Техническая документация

 MSJP11N65-BP.pdf
pdf. 0 kb
  • 4926 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    479 ₽
  • 50
    235 ₽
  • 100
    212 ₽
  • 500
    170 ₽
  • 2000
    146 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    MSJP11N65-BP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 11A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена MSJP11N65-BP при покупке от 1 шт 479.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSJP11N65-BP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MSJP11N65-BP

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    901 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB (H)
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    MSJP11

Техническая документация

 MSJP11N65-BP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
    2 171Кешбэк 325 баллов
    RF4L040ATTCRДиод: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
    142Кешбэк 21 балл
    2SK3991-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    DMTH84M1SPSQ-13MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    536Кешбэк 80 баллов
    IXFN100N65X2MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
    6 160Кешбэк 924 балла
    DMP4011SK3-13MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
    355Кешбэк 53 балла
    IPW60R099C6FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
    1 289Кешбэк 193 балла
    G08P06D3P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
    220Кешбэк 33 балла
    IPAN60R125PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220
    560Кешбэк 84 балла
    EPC2034CGANFET N-CH 200V 48A DIE
    1 914Кешбэк 287 баллов
    AONR21357Транзистор: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
    200Кешбэк 30 баллов
    NVD5C454NT4GMOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
    466Кешбэк 69 баллов
    NVMFS6H818NLT1GMOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
    762Кешбэк 114 баллов
    NVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
    6 519Кешбэк 977 баллов
    SQJA92EP-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
    270Кешбэк 40 баллов
    RJK03J7DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    NTE2380MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
    1 250Кешбэк 187 баллов
    2N7002BKVLMOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    DI035P04PT-AQMOSFET, -40V, -35A, P, 25W
    157Кешбэк 23 балла
    IRFPG42N-CHANNEL POWER MOSFET
    477Кешбэк 71 балл
    FQA8N80N-CHANNEL POWER MOSFET
    333Кешбэк 49 баллов
    RQ3E160ADTB1NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
    353Кешбэк 52 балла
    RYC002N05T316MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
    74Кешбэк 11 баллов
    PSMN3R5-40YSDXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
    344Кешбэк 51 балл
    SI2333DDS-T1-BE3P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
    109Кешбэк 16 баллов
    MCG30N03A-TPMOSFET N-CH 30V 30A DFN3333
    150Кешбэк 22 балла
    IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    620Кешбэк 93 балла
    HUF76121P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    SSM3K7002KFU,LFMOSFET N-CH 60V 400MA USM
    31.4Кешбэк 4 балла
    DMN2024UFDF-7MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП