MTB16N25ET4

MTB16N25ET4, производитель ON Semiconductor, представляет собой N-канальный силовой MOSFET (МOS полевая транзистор).

• Основные параметры:
• Рейтингный напряжение коллектора-эмиттера (V_DS(ON)): 25 В
• Рейтингный ток дrain (I_D): 16 А
• Удельная conductance (g_TO): 0,35 мS
• Температурный коэффициент (R_DS(on)): -3,2 мΩ/°C
• Тип: N-канальный MOSFET
• Строение: планарное (Planar)
• Плюсы:
• Высокая conductance при низком напряжении включенного состояния (V_DS(ON))
• Низкий коэффициент температурной зависимости сопротивления канала
• Компактный размер и высокая надежность
• Устойчивость к электрическим и термическим нагрузкам
• Минусы:
• Высокие потери тепла при работе в режиме включения
• Необходимость использования радиатора для эффективного отвода тепла
• Общее назначение:
• Использование в системах питания
• В качестве ключей в инверторах
• Регулировка напряжения в источниках питания
• Драйверы для двигателей
• Применение:
• Автомобильные системы питания
• Системы управления двигателями
• Сетевые адаптеры и блоки питания
• Системы управления освещением и электроприборами