MTB9N25ET4

MTB9N25ET4 — это N-канальный силовой MOSFET производства ON Semiconductor. Давайте рассмотрим его основные параметры, плюсы и минусы, а также общее назначение и области применения.

• Основные параметры:
• Vds(max): 1200 В
• Ic(max): 35 А
• Rdson: 6.8 мО при температуре 25°C
• Tj(max): 175°C
• Vgs(th): 3.5 В
• Плюсы:
• Высокая проводимость: низкий Rdson обеспечивает минимальное энергопотребление.
• Высокий коэффициент передачи: высокое значение Vds(max) позволяет использовать MOSFET в широком диапазоне напряжений.
• Малый размер: компактный корпус обеспечивает эффективное охлаждение.
• Низкое сопротивление: низкое значение Rdson снижает потери энергии.
• Минусы:
• Высокие требования к охлаждению: высокая мощность может привести к перегреву.
• Сложность в подключении: требует точного подбора внешних компонентов для правильной работы.
• Общее назначение:
• Контроль тока в электрических цепях.
• Управление мощностью в различных устройствах.
• Изменение напряжения в преобразователях.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления двигателем.
• Преобразователях питания.
• Мощных источниках питания.
• Электронных устройствах с высокой потребляемой мощностью.