Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
MTZJ11SB R0G
  • В избранное
  • В сравнение
MTZJ11SB R0G

MTZJ11SB R0G

MTZJ11SB R0G
;
MTZJ11SB R0G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    MTZJ11SB R0G
  • Описание:
    DIODE ZENER 10.78V 500MW DO34Все характеристики

Минимальная цена MTZJ11SB R0G при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MTZJ11SB R0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MTZJ11SB R0G

MTZJ11SB R0G Taiwan Semiconductor DIODE ZENER 10.78V 500MW DO34

  • Основные параметры:
    • Тип: диод зендер
    • Номинальное напряжение: 10.78В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO34
  • Плюсы:
    • Высокая точность регулирования напряжения
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Существует вероятность повреждения при превышении максимального напряжения или мощности
    • Необходимо правильное использование и монтаж для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Западание напряжения
    • Защита от скачков напряжения
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобили (аварийные системы)
    • Электронные устройства с высокой требовательностью к стабильности напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики MTZJ11SB R0G

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    10.78 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 8 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AG, DO-34, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-34
  • Base Product Number
    MTZJ11

Техническая документация

 MTZJ11SB R0G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8804 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    17.6 ₽
  • 1000
    9 ₽
  • 5000
    7.2 ₽
  • 20000
    4.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    MTZJ11SB R0G
  • Описание:
    DIODE ZENER 10.78V 500MW DO34Все характеристики

Минимальная цена MTZJ11SB R0G при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MTZJ11SB R0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MTZJ11SB R0G

MTZJ11SB R0G Taiwan Semiconductor DIODE ZENER 10.78V 500MW DO34

  • Основные параметры:
    • Тип: диод зендер
    • Номинальное напряжение: 10.78В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO34
  • Плюсы:
    • Высокая точность регулирования напряжения
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Существует вероятность повреждения при превышении максимального напряжения или мощности
    • Необходимо правильное использование и монтаж для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Западание напряжения
    • Защита от скачков напряжения
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобили (аварийные системы)
    • Электронные устройства с высокой требовательностью к стабильности напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики MTZJ11SB R0G

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    10.78 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 8 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AG, DO-34, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-34
  • Base Product Number
    MTZJ11

Техническая документация

 MTZJ11SB R0G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    JANTXV1N6309DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
    4 335Кешбэк 650 баллов
    CMHZ5239B TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
    67Кешбэк 10 баллов
    1N936BДиод: DIODE ZENER 9V 500MW DO35
    1 139Кешбэк 170 баллов
    JANTX1N4460Диод: DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO204AL
    3 150Кешбэк 472 балла
    MMSZ5243C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    MM5Z12VT5GFVOLTAGE REGULATOR DIODES
    54Кешбэк 8 баллов
    BZX79-C6V8,143Диод: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2
    24Кешбэк 3 балла
    JANTX1N4975Диод: DIODE ZENER 51V 5W AXIAL
    1 243Кешбэк 186 баллов
    SML4739A-E3/5ADIODE ZENER 9.1V 1W DO214AC
    139Кешбэк 20 баллов
    1SMC5352DIODE ZENER 15V 5W DO214AB
    206Кешбэк 30 баллов
    BZV85-C12,133Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO41
    22.2Кешбэк 3 балла
    BZX384B33-HE3-08DIODE ZENER 33V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    JAN1N4962DIODE ZENER 15V 5W AXIAL
    969Кешбэк 145 баллов
    BZT52C36TQ-7-FДиод: ZENER DIODE SOD523 T&R 3K
    28Кешбэк 4 балла
    1SMA5934_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    43Кешбэк 6 баллов
    1N5252B/TRVOLTAGE REGULATOR
    765Кешбэк 114 баллов
    MMSZ5263B-7-FДиод: DIODE ZENER 56V 500MW SOD123
    28Кешбэк 4 балла
    1N5231B/TRVOLTAGE REGULATOR
    509Кешбэк 76 баллов
    MMSZ5249BДиод: DIODE ZENER 19V 0.5W 5% UNIDIR
    46Кешбэк 6 баллов
    JANTX1N4623-1Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
    741Кешбэк 111 баллов
    JANTX1N4478DIODE ZENER 36V 1.5W DO41
    1 208Кешбэк 181 балл
    UDZVFHTE-1716BДиод: DIODE ZENER 16V 200MW UMD2
    46Кешбэк 6 баллов
    JANTX1N4958DIODE ZENER 10V 5W AXIAL
    1 252Кешбэк 187 баллов
    JANTX1N753AUR-1Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
    745Кешбэк 111 баллов
    NTE5035AДиод: DIODE ZENER 30V 500 MV DO35
    145Кешбэк 21 балл
    BZX79-B3V6,133DIODE ZENER 3.6V 400MW ALF2
    41Кешбэк 6 баллов
    CMDZ1L8 TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 1.8V 250MW SOD323
    76Кешбэк 11 баллов
    PDZVTFTR8.2BDIODE ZENER 8.2V 1W PMDTM
    80Кешбэк 12 баллов
    BZT52HC10WF-7Диод: DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F
    26Кешбэк 3 балла
    BZT52C12-E3-08Диод: DIODE ZENER 12V 410MW SOD123
    18Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП