Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
MUN2115T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN2115T1G

MUN2115T1G

MUN2115T1G
;
MUN2115T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2115T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2115T1G при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2115T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2115T1G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор PNP
      • Применяемое напряжение: 50В
      • Максимальный ток: 100mA
      • Обозначение корпуса: SC59
    • Плюсы:
      • Высокая стабильность при работе с различными нагрузками
      • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса
      • Надежная работа при высоких температурах
    • Минусы:
      • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
      • Высокий уровень шума при работе
    • Общее назначение:
      • Командное управление электронными цепями
      • Передача сигнала между цепями с разными уровнем напряжений
      • Уменьшение уровня шума в электрических цепях
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Производственные системы автоматизации
      • Системы контроля и управления процессами
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2115T1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    230 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2115

Техническая документация

 MUN2115T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 11789 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 500
    34 ₽
  • 3000
    7.2 ₽
  • 9000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2115T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2115T1G при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2115T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2115T1G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор PNP
      • Применяемое напряжение: 50В
      • Максимальный ток: 100mA
      • Обозначение корпуса: SC59
    • Плюсы:
      • Высокая стабильность при работе с различными нагрузками
      • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса
      • Надежная работа при высоких температурах
    • Минусы:
      • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
      • Высокий уровень шума при работе
    • Общее назначение:
      • Командное управление электронными цепями
      • Передача сигнала между цепями с разными уровнем напряжений
      • Уменьшение уровня шума в электрических цепях
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Производственные системы автоматизации
      • Системы контроля и управления процессами
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2115T1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    230 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2115

Техническая документация

 MUN2115T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTB114ECT116Транзистор: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTC043XUBTLТранзистор: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    37Кешбэк 5 баллов
    DTC113ZCAT116Транзистор: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
    43Кешбэк 6 баллов
    DTA114EEBHZGTLТранзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBTRC105SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    19Кешбэк 2 балла
    BCR141WBIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    30.7Кешбэк 4 балла
    DTA123EEBTLТранзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA144TCAT116Транзистор: DTA144TCA IS AN DIGITAL TRANSIST
    50Кешбэк 7 баллов
    DTB123YCHZGT116Транзистор: PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
    39Кешбэк 5 баллов
    MMBTRA103SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMBTRC118SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    29.4Кешбэк 4 балла
    MMDT5212WDIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл
    RN1108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    DTC143ZE-TPТранзистор: NPN DIGITAL TRANSISTORSSOT-523
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN1109,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTC114GU3HZGT106Транзистор: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
    29Кешбэк 4 балла
    DTA123ECA-TPТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR, SOT-23
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA114TCAT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    50Кешбэк 7 баллов
    ADTC144ECAQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    DTA123ECAHZGT116Транзистор: DTA123ECAHZG IS THE HIGH RELIABI
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA143XCAHZGT116Транзистор: DTA143XCAHZG IS THE HIGH RELIABI
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA143ZCAT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN2137T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
    37Кешбэк 5 баллов
    DTA115ECAT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    43Кешбэк 6 баллов
    MMDT5112WDIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл
    NHDTA114YTRТранзистор: NHDTA114YT/SOT23/TO-236AB
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMMUN2237LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    DTA123YU3HZGT106Транзистор: DTA123YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    65Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП