Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
MUN2231T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN2231T1G

MUN2231T1G

MUN2231T1G
;
MUN2231T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2231T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2231T1G при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2231T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2231T1G

Основные параметры:

  • Маркировка: MUN2231T1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: Транзистор NPN
  • Напряжение блокировки: 50В
  • Предел тока: 100мА
  • Оболочка: SC59

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке.
  • Высокий коэффициент усиления.
  • Устойчивость к перегрузкам.

Минусы:

  • Небольшой предел тока (100мА).
  • Ограниченная мощность работы.

Общее назначение:

  • Использование в качестве усилителя сигнала.
  • Регулирование напряжений.
  • Контроль тока в цепях.

В каких устройствах применяется:

  • Музыкальные устройства.
  • Электронные часы и другие цифровые приборы.
  • Коммуникационное оборудование.
  • Промышленные системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2231T1G

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    338 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2231

Техническая документация

 MUN2231T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8337 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 ₽
  • 100
    13 ₽
  • 1000
    8.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2231T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2231T1G при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2231T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2231T1G

Основные параметры:

  • Маркировка: MUN2231T1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: Транзистор NPN
  • Напряжение блокировки: 50В
  • Предел тока: 100мА
  • Оболочка: SC59

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке.
  • Высокий коэффициент усиления.
  • Устойчивость к перегрузкам.

Минусы:

  • Небольшой предел тока (100мА).
  • Ограниченная мощность работы.

Общее назначение:

  • Использование в качестве усилителя сигнала.
  • Регулирование напряжений.
  • Контроль тока в цепях.

В каких устройствах применяется:

  • Музыкальные устройства.
  • Электронные часы и другие цифровые приборы.
  • Коммуникационное оборудование.
  • Промышленные системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2231T1G

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    338 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2231

Техническая документация

 MUN2231T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTD123TCT116Транзистор: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
    52Кешбэк 7 баллов
    DTD123YCHZGT116Транзистор: DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL
    52Кешбэк 7 баллов
    DTB113ECT116Транзистор: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA123JCAHZGT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA124ECAHZGT116Транзистор: DTA124ECAHZG IS THE HIGH RELIABI
    52Кешбэк 7 баллов
    DTB123YCT116Транзистор: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTD123YCT116Транзистор: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
    52Кешбэк 7 баллов
    DTC123JU3HZGT106Транзистор: DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC144EU3HZGT106Транзистор: DTC144EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC113ZU3HZGT106Транзистор: DTC113ZU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC114EU3HZGT106Транзистор: DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143XU3HZGT106Транзистор: DTC143XU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC114YU3HZGT106Транзистор: DTC114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC123YU3HZGT106Транзистор: DTC123YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA143TU3HZGT106Транзистор: DTA143TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA114YU3HZGT106Транзистор: DTA114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC114TU3HZGT106Транзистор: DTC114TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA113ZU3HZGT106Транзистор: DTA113ZU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143ZU3HZGT106Транзистор: DTC143ZU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA143EU3HZGT106Транзистор: DTA143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC124XU3HZGT106Транзистор: DTC124XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA123EU3HZGT106Транзистор: DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA124EU3HZGT106Транзистор: DTA124EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA144EU3HZGT106Транзистор: DTA144EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143EU3HZGT106Транзистор: DTC143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA114EU3HZGT106Транзистор: DTA114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143TU3HZGT106Транзистор: DTC143TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA123YEFRATLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA124XU3HZGT106Транзистор: DTA124XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC123EU3HZGT106Транзистор: DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП