Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MUN5115T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN5115T1G

MUN5115T1G

MUN5115T1G
;
MUN5115T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5115T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MUN5115T1G при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5115T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5115T1G

MUN5115T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (полярность)
    • Напряжение разрыва: 50В
    • Максимальный ток: 150мА
    • Сопротивление при нулевом токе: ≤200кΩ
    • Потребляемая мощность: ≤40мВт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Экономичное потребление энергии
    • Простота интеграции в электронные схемы
  • Минусы:
    • Работает только с положительными напряжениями
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования тока
    • Для управления другими транзисторами или полупроводниковыми устройствами
    • Для защиты электронных схем от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Медицинское оборудование
    • Коммуникационные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5115T1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MUN5115

Техническая документация

 MUN5115T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29.6 ₽
  • 100
    11 ₽
  • 1000
    7 ₽
  • 6000
    5.1 ₽
  • 15000
    4.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5115T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MUN5115T1G при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5115T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5115T1G

MUN5115T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (полярность)
    • Напряжение разрыва: 50В
    • Максимальный ток: 150мА
    • Сопротивление при нулевом токе: ≤200кΩ
    • Потребляемая мощность: ≤40мВт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Экономичное потребление энергии
    • Простота интеграции в электронные схемы
  • Минусы:
    • Работает только с положительными напряжениями
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования тока
    • Для управления другими транзисторами или полупроводниковыми устройствами
    • Для защиты электронных схем от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Медицинское оборудование
    • Коммуникационные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5115T1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MUN5115

Техническая документация

 MUN5115T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTA144EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    DTC144WM3T5GTRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    NSBA143ZF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    11.1Кешбэк 1 балл
    DTA114YM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    35Кешбэк 5 баллов
    DTC115TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    48Кешбэк 7 баллов
    DTC143TET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    FJV3114RMTF
    5.6Кешбэк 1 балл
    DTA123EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    65Кешбэк 9 баллов
    NSBA123JF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    11.1Кешбэк 1 балл
    NSBC123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    24Кешбэк 3 балла
    FJV3104RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    5.6Кешбэк 1 балл
    DTA114TM3T5GTRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    NSVMUN2112T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTA123JM3T5GTRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    DTA124XET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTA115TM3T5GTRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    MUN5238T1GТранзистор
    5.7Кешбэк 1 балл
    MUN2135T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSBA124XF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC113EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    11.1Кешбэк 1 балл
    FJV3113RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    3.7Кешбэк 1 балл
    NSBC144WF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    24Кешбэк 3 балла
    NSBC144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC124XF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    24Кешбэк 3 балла
    NSBA144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA143EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144TM3T5GTRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    11.1Кешбэк 1 балл
    NSBA144WF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    FJV3101RMTFTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    7.4Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП