Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MUN5213T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN5213T1G

MUN5213T1G

MUN5213T1G
;
MUN5213T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5213T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MUN5213T1G при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5213T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5213T1G

MUN5213T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рейтинг напряженияcollector-emitter (VCEO): 50В
    • Максимальный ток collector (ICM): 130mA
    • Тип корпуса: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря предварительному смещению (prebias)
    • Устойчивость к перепадам напряжения
    • Малый размер корпуса SC70-3 для компактного дизайна
    • Низкий уровень шумов и помех
  • Минусы:
    • Ограниченный ток, который может быть недостаточным для высокоточных приложений
    • Корпус SC70-3 может быть чувствителен к механическим воздействиям
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Активное звено в схемах усилителей сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Применение в системах управления силами
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Электронные часы и другие носимые устройства
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5213T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MUN5213

Техническая документация

 MUN5213T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 11626 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    28 ₽
  • 100
    12.6 ₽
  • 1000
    6.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5213T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MUN5213T1G при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5213T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5213T1G

MUN5213T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рейтинг напряженияcollector-emitter (VCEO): 50В
    • Максимальный ток collector (ICM): 130mA
    • Тип корпуса: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря предварительному смещению (prebias)
    • Устойчивость к перепадам напряжения
    • Малый размер корпуса SC70-3 для компактного дизайна
    • Низкий уровень шумов и помех
  • Минусы:
    • Ограниченный ток, который может быть недостаточным для высокоточных приложений
    • Корпус SC70-3 может быть чувствителен к механическим воздействиям
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Активное звено в схемах усилителей сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Применение в системах управления силами
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Электронные часы и другие носимые устройства
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5213T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MUN5213

Техническая документация

 MUN5213T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSBA123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA143EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144WF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    DTC144EET1
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA115TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA123TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    DTC123JET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5236T1TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5136T1TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTA123JET1TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5216T1TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTC143EET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTA123EET1TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5234T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTA143ZET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5131T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    DTC124XET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTA114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTC114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144EET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5116T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5215T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5232T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTC114YET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5115T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144TT1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5135T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144WET1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП