Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
MUN5216DW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G
;
MUN5216DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5216DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363Все характеристики

Минимальная цена MUN5216DW1T1G при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5216DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN (двойной непереходный)
    • Мощность: 0.25 Вт
    • Форм-фактор: SOT363
    • Применение: преамповые усилители, датчик температуры
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление перехода
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шуму
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Небольшая мощность
    • Высокие требования к охлаждению
    • Необходимо соблюдение правил подключения
  • Общее назначение:
    • Используется для усиления сигналов
    • Для работы датчиков температуры
    • В составе различных электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные проигрыватели
    • Аудиосистемы
    • Передатчики и приемники
    • Коммутирующие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5216DW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    MUN5216

Техническая документация

 MUN5216DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 29816 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    46 ₽
  • 100
    17.8 ₽
  • 1000
    11.5 ₽
  • 6000
    8.6 ₽
  • 15000
    7.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5216DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363Все характеристики

Минимальная цена MUN5216DW1T1G при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5216DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN (двойной непереходный)
    • Мощность: 0.25 Вт
    • Форм-фактор: SOT363
    • Применение: преамповые усилители, датчик температуры
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление перехода
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шуму
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Небольшая мощность
    • Высокие требования к охлаждению
    • Необходимо соблюдение правил подключения
  • Общее назначение:
    • Используется для усиления сигналов
    • Для работы датчиков температуры
    • В составе различных электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные проигрыватели
    • Аудиосистемы
    • Передатчики и приемники
    • Коммутирующие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5216DW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    MUN5216

Техническая документация

 MUN5216DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UMD6NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    83Кешбэк 12 баллов
    UMD9NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    IMB9AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    IMD10AT108Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    UMD2NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    IMB11AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    IMH10AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    74Кешбэк 11 баллов
    UMA9NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    76Кешбэк 11 баллов
    FMA4AT148Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
    120Кешбэк 18 баллов
    UMC5NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
    76Кешбэк 11 баллов
    UMH2NTNТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    UMA1NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    82Кешбэк 12 баллов
    IMB3AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    117Кешбэк 17 баллов
    EMD3T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    IMB10AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    IMH5AT108Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    126Кешбэк 18 баллов
    UMD22NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    UMD5NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
    29Кешбэк 4 балла
    IMD3AT108Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    FMA9AT148Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
    120Кешбэк 18 баллов
    IMH2AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UMG4NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    87Кешбэк 13 баллов
    IMH3AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    82Кешбэк 12 баллов
    UMG8NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    44Кешбэк 6 баллов
    FMG6AT148Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    UMF28NTRТранзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
    69Кешбэк 10 баллов
    FMA1AT148Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
    113Кешбэк 16 баллов
    UMA5NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    83Кешбэк 12 баллов
    EMG5T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
    94Кешбэк 14 баллов
    FMG9AT148Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
    36Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП