Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
MUR4100ERLG
  • В избранное
  • В сравнение
MUR4100ERLG

MUR4100ERLG

MUR4100ERLG
;
MUR4100ERLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MUR4100ERLG
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1000V 4A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена MUR4100ERLG при покупке от 1 шт 162.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR4100ERLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR4100ERLG

MUR4100ERLG ON SEMICONDUCTOR Диод: DIODE GEN PURP 1000V 4A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000 В
    • Номинальный ток: 4 А
    • Форма корпуса: DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Экономичность в использовании энергии
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Низкая тока переносимая при высоком напряжении
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Регулировка напряжения
    • Передача сигналов между цепями разного уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики MUR4100ERLG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.85 V @ 4 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    25 µA @ 1000 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    MUR4100

Техническая документация

 MUR4100ERLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 609 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    162 ₽
  • 10
    103 ₽
  • 25
    83 ₽
  • 50
    72 ₽
  • 100
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MUR4100ERLG
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1000V 4A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена MUR4100ERLG при покупке от 1 шт 162.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR4100ERLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR4100ERLG

MUR4100ERLG ON SEMICONDUCTOR Диод: DIODE GEN PURP 1000V 4A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000 В
    • Номинальный ток: 4 А
    • Форма корпуса: DO201AD
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Экономичность в использовании энергии
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Низкая тока переносимая при высоком напряжении
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Регулировка напряжения
    • Передача сигналов между цепями разного уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики MUR4100ERLG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.85 V @ 4 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    25 µA @ 1000 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    MUR4100

Техническая документация

 MUR4100ERLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBRS540T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
    53Кешбэк 7 баллов
    1N5822RLGДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
    108Кешбэк 16 баллов
    MBRS230LT3GДиод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 2A, 3
    79Кешбэк 11 баллов
    MUR460RLGДиод: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
    128Кешбэк 19 баллов
    NSR0320MW2T1GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
    35Кешбэк 5 баллов
    MBRS130LT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB
    57Кешбэк 8 баллов
    1N5404RLGДиод: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
    69Кешбэк 10 баллов
    BYW80-200GДиод: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
    154Кешбэк 23 балла
    MBR350RLGDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD
    73Кешбэк 10 баллов
    1N5401RLDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
    40.5Кешбэк 6 баллов
    MBR230LSFT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123L
    61Кешбэк 9 баллов
    MURS320T3GДиод: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
    102Кешбэк 15 баллов
    MMSD103T1GДиод: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123
    14Кешбэк 2 балла
    MURA120T3GДиод: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA
    63Кешбэк 9 баллов
    MBRA340T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
    134Кешбэк 20 баллов
    BAS21AHT1GДиод: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
    15Кешбэк 2 балла
    MBR130T1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    1N4937GДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
    21.3Кешбэк 3 балла
    MUR4100ERLGДиод: DIODE GEN PURP 1000V 4A DO201AD
    162Кешбэк 24 балла
    1N5407RLGДиод: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
    66Кешбэк 9 баллов
    1N5402RLGДиод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    57Кешбэк 8 баллов
    MBRS240LT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
    63Кешбэк 9 баллов
    1N5408GДиод: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD
    54Кешбэк 8 баллов
    RURG3060Диод: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
    566Кешбэк 84 балла
    1N5821RLGДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
    117Кешбэк 17 баллов
    1N5822GДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
    68Кешбэк 10 баллов
    1SS400T1GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
    23Кешбэк 3 балла
    MBR1100GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL
    58Кешбэк 8 баллов
    MBR10100GТранзистор: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2
    100Кешбэк 15 баллов
    SBAS16LT1GДиод: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
    16.5Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП