Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
MUR410G
  • В избранное
  • В сравнение
MUR410G

MUR410G

MUR410G
;
MUR410G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    MUR410G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 100V 4A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена MUR410G при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR410G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR410G

MUR410G ONSEMI DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 4А
    • Форм-фактор: DO201AD
    • Тип: Шотткий диод
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в непрерывном режиме
    • Не рекомендован для высокочастотных приложений без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Конвертация AC/DC в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
    • Автомобили (адаптеры зарядки)
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики MUR410G

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    890 mV @ 4 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    MUR410

Техническая документация

 MUR410G.pdf
pdf. 0 kb
  • 297 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    107 ₽
  • 100
    63 ₽
  • 500
    54 ₽
  • 2000
    50 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    MUR410G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 100V 4A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена MUR410G при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR410G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR410G

MUR410G ONSEMI DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 4А
    • Форм-фактор: DO201AD
    • Тип: Шотткий диод
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в непрерывном режиме
    • Не рекомендован для высокочастотных приложений без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Конвертация AC/DC в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
    • Автомобили (адаптеры зарядки)
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики MUR410G

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    890 mV @ 4 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    MUR410

Техническая документация

 MUR410G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N1186ADIODE GEN PURP 200V 40A DO5
    1 924Кешбэк 288 баллов
    1N3768DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
    2 305Кешбэк 345 баллов
    1N1184ADIODE GEN PURP 100V 40A DO5
    1 917Кешбэк 287 баллов
    1N3881DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
    1 270Кешбэк 190 баллов
    1N1184DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
    1 880Кешбэк 282 балла
    MBR6045DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5
    4 449Кешбэк 667 баллов
    1N3882DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
    1 326Кешбэк 198 баллов
    S85YRDIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
    2 867Кешбэк 430 баллов
    1N6098DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5
    4 490Кешбэк 673 балла
    1N3766DIODE GEN PURP 800V 35A DO5
    1 880Кешбэк 282 балла
    1N2130ADIODE GEN PURP 150V 60A DO5
    2 181Кешбэк 327 баллов
    1N1190ARDIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5
    1 919Кешбэк 287 баллов
    SD4145DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
    3 110Кешбэк 466 баллов
    1N3880DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
    1 326Кешбэк 198 баллов
    MUR2510RDIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
    2 447Кешбэк 367 баллов
    1N5834DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5
    4 148Кешбэк 622 балла
    1N3673ARDIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
    1 177Кешбэк 176 баллов
    1N3889RDIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
    1 740Кешбэк 261 балл
    1N1190RDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
    1 684Кешбэк 252 балла
    1N1188DIODE GEN PURP 400V 35A DO5
    2 147Кешбэк 322 балла
    1N3883RДиод: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
    1 374Кешбэк 206 баллов
    1N3893DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
    1 729Кешбэк 259 баллов
    1N1187DIODE GEN PURP 300V 35A DO5
    2 458Кешбэк 368 баллов
    FR40KR05DIODE GEN PURP REV 800V 40A DO5
    3 185Кешбэк 477 баллов
    S85MDIODE GEN PURP 1KV 85A DO5
    2 794Кешбэк 419 баллов
    S40MDIODE GEN PURP 1KV 40A DO5
    1 917Кешбэк 287 баллов
    1N1189DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
    1 880Кешбэк 282 балла
    MUR5020DIODE GEN PURP 200V 50A DO5
    3 906Кешбэк 585 баллов
    1N3879DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
    1 326Кешбэк 198 баллов
    MBR8045DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
    4 455Кешбэк 668 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП