Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
MURF1640CT
  • В избранное
  • В сравнение
MURF1640CT

MURF1640CT

MURF1640CT
;
MURF1640CT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    MURF1640CT
  • Описание:
    DIODE ARRAY GP 400V ITO-220ABВсе характеристики

Минимальная цена MURF1640CT при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MURF1640CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MURF1640CT

MURF1640CT Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB — это диодный массив высокого напряжения с характеристиками:

  • Напряжение блокировки (VBR): 400В
  • Тип корпуса: ITO-220AB
  • Количество диодов: 16

Основные плюсы:

  • Высокое напряжение блокировки
  • Увеличенная надежность благодаря множеству параллельно подключенных диодов
  • Меньше тепловыделения по сравнению с одиночными диодами

Основные минусы:

  • Сложность в монтаже и тестировании из-за большого количества диодов
  • Большой размер корпуса
  • Требует дополнительных мер для обеспечения равномерного распределения тепла

Общее назначение: Используется для защиты электронных устройств от обратного напряжения и перенапряжений.

Применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Питательных сетях
  • Измерительной технике
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики MURF1640CT

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    16A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Исполнение корпуса
    ITO-220AB
  • Base Product Number
    MURF1640

Техническая документация

 MURF1640CT.pdf
pdf. 0 kb
  • 320 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    337 ₽
  • 50
    161 ₽
  • 500
    114 ₽
  • 2000
    96 ₽
  • 10000
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    MURF1640CT
  • Описание:
    DIODE ARRAY GP 400V ITO-220ABВсе характеристики

Минимальная цена MURF1640CT при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MURF1640CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MURF1640CT

MURF1640CT Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB — это диодный массив высокого напряжения с характеристиками:

  • Напряжение блокировки (VBR): 400В
  • Тип корпуса: ITO-220AB
  • Количество диодов: 16

Основные плюсы:

  • Высокое напряжение блокировки
  • Увеличенная надежность благодаря множеству параллельно подключенных диодов
  • Меньше тепловыделения по сравнению с одиночными диодами

Основные минусы:

  • Сложность в монтаже и тестировании из-за большого количества диодов
  • Большой размер корпуса
  • Требует дополнительных мер для обеспечения равномерного распределения тепла

Общее назначение: Используется для защиты электронных устройств от обратного напряжения и перенапряжений.

Применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Питательных сетях
  • Измерительной технике
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики MURF1640CT

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    16A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Исполнение корпуса
    ITO-220AB
  • Base Product Number
    MURF1640

Техническая документация

 MURF1640CT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAW56HMT116BAW56HM IS HIGH RELIABILITY AND
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS40-06HMT116BAS40-06HM IS SCHOTTKY BARRIER D
    39Кешбэк 5 баллов
    RB548WMTLRB548WM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    39Кешбэк 5 баллов
    RB558WMTLДиод: RB558WM IS SUPER LOW VF SCHOTTKE
    41Кешбэк 6 баллов
    RB715UMTLRB715UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    42Кешбэк 6 баллов
    BAT54AHMT116BAT54AHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
    43Кешбэк 6 баллов
    BAT54CHMT116BAT54CHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
    43Кешбэк 6 баллов
    RB715WMFHTLAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    46Кешбэк 6 баллов
    BAW156HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    48Кешбэк 7 баллов
    BAW56HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    50Кешбэк 7 баллов
    BAW56HMFHT116DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
    50Кешбэк 7 баллов
    DAP202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    54Кешбэк 8 баллов
    BAV170HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    54Кешбэк 8 баллов
    DAP222WMFHTLSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    54Кешбэк 8 баллов
    BAW156HYT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    BAV199HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    DAN202KFHT146ROHM'S SWITCHING DIODES, INCLUDI
    61Кешбэк 9 баллов
    BAV199UMTLТранзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SERIES
    61Кешбэк 9 баллов
    RB706WM-40TLДиод: 40V, 30MA, SOT-416FL, SCHOTTKY B
    61Кешбэк 9 баллов
    BAV70HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    61Кешбэк 9 баллов
    BAW56HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    65Кешбэк 9 баллов
    DAN202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    65Кешбэк 9 баллов
    BAV99HYT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    67Кешбэк 10 баллов
    BAV70HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV199HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV170HYFHT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    DAP222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    70Кешбэк 10 баллов
    DAP202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    DAN202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    BAV99HYFHT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП