Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
N0601N-ZK-E1-AY
  • В избранное
  • В сравнение
N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY
;
N0601N-ZK-E1-AY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    N0601N-ZK-E1-AY
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A TO263Все характеристики

Минимальная цена N0601N-ZK-E1-AY при покупке от 1 шт 602.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить N0601N-ZK-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY — это полупроводниковый транзистор MOSFET N-канального типа, выпущенный компанией Renesas Electronics Corporation. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 60В
  • Номинальная токовая способность (ID): 100А
  • Пакет: TO263

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения
  • Малые потери энергии при работе
  • Долгий срок службы благодаря низкому уровню тепловыделения
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям

Минусы:

  • Существует риск блокировки при отсутствии нагрузки
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения для предотвращения перегрева
  • Требуются дополнительные компоненты для управления током

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах для регулирования тока и напряжения. Особое применение в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Энергоэффективных системах
  • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики N0601N-ZK-E1-AY

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2mOhm @ 50A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    133 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7730 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta), 156W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    N0601N-ZK-E1

Техническая документация

 N0601N-ZK-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb
  • 3148 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    602 ₽
  • 10
    441 ₽
  • 100
    308 ₽
  • 800
    239 ₽
  • 1600
    234 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    N0601N-ZK-E1-AY
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A TO263Все характеристики

Минимальная цена N0601N-ZK-E1-AY при покупке от 1 шт 602.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить N0601N-ZK-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY — это полупроводниковый транзистор MOSFET N-канального типа, выпущенный компанией Renesas Electronics Corporation. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 60В
  • Номинальная токовая способность (ID): 100А
  • Пакет: TO263

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения
  • Малые потери энергии при работе
  • Долгий срок службы благодаря низкому уровню тепловыделения
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям

Минусы:

  • Существует риск блокировки при отсутствии нагрузки
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения для предотвращения перегрева
  • Требуются дополнительные компоненты для управления током

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах для регулирования тока и напряжения. Особое применение в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Энергоэффективных системах
  • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики N0601N-ZK-E1-AY

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2mOhm @ 50A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    133 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7730 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta), 156W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    N0601N-ZK-E1

Техническая документация

 N0601N-ZK-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    N0604N-S19-AYMOSFET N-CH 60V 82A TO220
    546Кешбэк 81 балл
    RJK0330DPB-01#J0MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
    462Кешбэк 69 баллов
    RJK0852DPB-00#J5MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
    616Кешбэк 92 балла
    NP161N04TUG-E1-AYMOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
    802Кешбэк 120 баллов
    N0601N-ZK-E1-AYMOSFET N-CH 60V 100A TO263
    601Кешбэк 90 баллов
    RJK0395DPA-00#J53MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    149Кешбэк 22 балла
    UPA2810T1L-E1-AYMOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
    294Кешбэк 44 балла
    RJK0204DPA-00#J53MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
    274Кешбэк 41 балл
    RJK03B9DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    149Кешбэк 22 балла
    RJK0395DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    149Кешбэк 22 балла
    RJK0379DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    RJK0659DPA-00#J5A
    520Кешбэк 78 баллов
    RJK0851DPB-00#J5MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
    405Кешбэк 60 баллов
    RJK0660DPA-00#J5AMOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
    664Кешбэк 99 баллов
    N0602N-S19-AYMOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
    517Кешбэк 77 баллов
    RJK0452DPB-00#J5MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
    616Кешбэк 92 балла
    RJK0354DSP-00#J0MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
    390Кешбэк 58 баллов
    RJK0854DPB-00#J5MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
    627Кешбэк 94 балла
    RJK0456DPB-00#J5
    221Кешбэк 33 балла
    RJK0348DSP-00#J0MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP
    239Кешбэк 35 баллов
    2SK4080-ZK-E1-AYMOSFET N-CH 30V 48A TO252
    215Кешбэк 32 балла
    RJK0355DPA-01#J0BMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    RJK1051DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
    476Кешбэк 71 балл
    RJK1053DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
    704Кешбэк 105 баллов
    NP100N04PUK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 100A TO263
    625Кешбэк 93 балла
    NP180N055TUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
    1 079Кешбэк 161 балл
    UPA650TT-E1-AMOSFET P-CH 12V 5A 6WSOF
    85Кешбэк 12 баллов
    RJK0381DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
    256Кешбэк 38 баллов
    RJK0451DPB-00#J5MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    NP82N04MLG-S18-AYMOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
    410Кешбэк 61 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП