Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NDC632P

NDC632P

NDC632P
;
NDC632P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NDC632P при покупке от 111 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDC632P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NDC632P

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 2.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    550 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Техническая документация

NDC632P.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 111 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NDC632P при покупке от 111 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDC632P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NDC632P

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 2.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    550 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Техническая документация

NDC632P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 111 шт