Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G
;
NDD03N80Z-1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NDD03N80Z-1G при покупке от 575 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDD03N80Z-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G от On Semiconductor — это N-канальный MOSFET с напряжением ввода до 800 В и током дrain до 2,9 А в IPAK-пакете.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VGS(th)): не менее 4 В
    • Ток дrain (ID(on)): 2,9 А
    • Напряжение ввода (VDS): 800 В
    • Пакет: IPAK
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение ввода
    • Высокий ток дrain
    • Малый размер пакета (IPAK)
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Не очень высокая скорость переключения по сравнению с более современными MOSFETами
    • Требует дополнительного охлаждения для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Работа в электронных приборах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная техника
    • Электроприборы
    • Источники бесперебойного питания
    • Мощные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NDD03N80Z-1G

Техническая документация

NDD03N80Z-1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 141954 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 575 шт
  • Количество
    Цена
  • 575
    96 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NDD03N80Z-1G при покупке от 575 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDD03N80Z-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G от On Semiconductor — это N-канальный MOSFET с напряжением ввода до 800 В и током дrain до 2,9 А в IPAK-пакете.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VGS(th)): не менее 4 В
    • Ток дrain (ID(on)): 2,9 А
    • Напряжение ввода (VDS): 800 В
    • Пакет: IPAK
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение ввода
    • Высокий ток дrain
    • Малый размер пакета (IPAK)
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Не очень высокая скорость переключения по сравнению с более современными MOSFETами
    • Требует дополнительного охлаждения для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Работа в электронных приборах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная техника
    • Электроприборы
    • Источники бесперебойного питания
    • Мощные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NDD03N80Z-1G

Техническая документация

NDD03N80Z-1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 575 шт