Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G
;
NDD60N360U1-35G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NDD60N360U1-35G при покупке от 211 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDD60N360U1-35G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G onsemi MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 11А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: IPAK (интегрированный пакет с контактной площадкой)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на транзисторе (Vgs)
    • Малые потери энергии при работе
    • Короткий время переключения
    • Устойчивость к электромагнитному излучению (ЕМИ)
    • Малый объем и вес за счет компактного корпуса
  • Минусы:
    • Риск повреждения при неправильном использовании (например, при превышении допустимых значений напряжения или тока)
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты (например, диоды для отвода обратного напряжения)
    • Существуют ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах и системах управления
    • Применяется в преобразователях напряжения и мощных инверторах
    • Используется в системах управления двигателями и приводами
    • Подходит для применения в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Системы управления мощностью
    • Солнечные системы энергопитания
Выбрано: Показать

Характеристики NDD60N360U1-35G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-Pak
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    NDD60

Техническая документация

NDD60N360U1-35G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 211 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NDD60N360U1-35G при покупке от 211 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDD60N360U1-35G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G onsemi MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 11А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: IPAK (интегрированный пакет с контактной площадкой)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на транзисторе (Vgs)
    • Малые потери энергии при работе
    • Короткий время переключения
    • Устойчивость к электромагнитному излучению (ЕМИ)
    • Малый объем и вес за счет компактного корпуса
  • Минусы:
    • Риск повреждения при неправильном использовании (например, при превышении допустимых значений напряжения или тока)
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты (например, диоды для отвода обратного напряжения)
    • Существуют ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах и системах управления
    • Применяется в преобразователях напряжения и мощных инверторах
    • Используется в системах управления двигателями и приводами
    • Подходит для применения в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Системы управления мощностью
    • Солнечные системы энергопитания
Выбрано: Показать

Характеристики NDD60N360U1-35G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-Pak
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    NDD60

Техническая документация

NDD60N360U1-35G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 211 шт