Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NDS0610-G
NDS0610-G

NDS0610-G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NDS0610-G
  • Описание:
    FET -60V 10.0 MOHM SOT23Все характеристики

Минимальная цена NDS0610-G при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDS0610-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NDS0610-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    79 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    360mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    NDS061

Техническая документация

 NDS0610-G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 64713 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 100
    23 ₽
  • 1000
    15 ₽
  • 6000
    11.8 ₽
  • 24000
    9.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NDS0610-G
  • Описание:
    FET -60V 10.0 MOHM SOT23Все характеристики

Минимальная цена NDS0610-G при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDS0610-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NDS0610-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    79 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    360mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    NDS061

Техническая документация

 NDS0610-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 578Кешбэк 236 баллов
    RJK0353DPA-WS#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    249Кешбэк 37 баллов
    DMT4011LFG-7MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
    114Кешбэк 17 баллов
    IPN95R1K2P7ATMA1MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
    299Кешбэк 44 балла
    RRR030P03HZGTLТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
    119Кешбэк 17 баллов
    IPP60R120P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
    317Кешбэк 47 баллов
    SIHG73N60AE-GE3MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
    2 152Кешбэк 322 балла
    IXTH12N70X2MOSFET N-CH 700V 12A TO247
    1 499Кешбэк 224 балла
    BSM180C12P3C202SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
    111 093Кешбэк 16 663 балла
    NVHL040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
    2 678Кешбэк 401 балл
    UF3C065080B7SSICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
    2 250Кешбэк 337 баллов
    NVMFS6H801NLT1GMOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
    535Кешбэк 80 баллов
    UF3C120040K3SSICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
    4 308Кешбэк 646 баллов
    DMT3006LFV-13MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    170Кешбэк 25 баллов
    PJD25N03_L2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    110Кешбэк 16 баллов
    FDMS86581MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
    384Кешбэк 57 баллов
    DMT6012LFDF-7MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
    172Кешбэк 25 баллов
    SI2336DS-T1-BE3MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    IPW65R075CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
    1 355Кешбэк 203 балла
    IRF740APBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    644Кешбэк 96 баллов
    SI3499DV-T1-BE3P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
    282Кешбэк 42 балла
    NTBLS1D1N08HMOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
    1 399Кешбэк 209 баллов
    SQS407ENW-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
    288Кешбэк 43 балла
    SI4435FDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
    89Кешбэк 13 баллов
    2SK3230C-T1-AN-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
    59Кешбэк 8 баллов
    FDS6676SSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    157Кешбэк 23 балла
    NVMFSC1D6N06CLMOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN
    1 222Кешбэк 183 балла
    RX3G07CGNC16MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
    493Кешбэк 73 балла
    IRL640PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
    591Кешбэк 88 баллов
    SIHP35N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
    1 179Кешбэк 176 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП