NE3517S03-T1D-A

NE3517S03-T1D-A Renesas Electronics Corporation Транзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
• VDS (Max): 30 В
• ID (Max): 1.2 А
• RDS(on) (Max): 15 мО при VGS = 4.5 В
• Qg (Max): 3.8 нКл
• VGS(th) (Typ): 2.5 В
• Плюсы:
• Низкое значение RDS(on)
• Высокая скорость переключения
• Малый размер и энергопотребление
• Высокая надежность и стабильность
• Минусы:
• Могут быть ограничения по мощности при больших токах
• Влияние температуры на характеристики
• Общее назначение:
• Управляющие элементы в цифровых и аналоговых схемах
• Регуляторы напряжения
• Фильтры и усилители
• Интерфейсы для подключения к микроконтроллерам
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Мобильные устройства
• Электроника бытовой техники
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления двигателем