Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
NE85633-T1B-A
NE85633-T1B-A

NE85633-T1B-A

Loading...
;
Loading...

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    NE85633-T1B-A
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23Все характеристики

Минимальная цена NE85633-T1B-A при покупке от 3000 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NE85633-T1B-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NE85633-T1B-A

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 20mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-MINIMOLD
Техническая документация
 177270.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Минимально и кратно 3000 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    NE85633-T1B-A
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23Все характеристики

Минимальная цена NE85633-T1B-A при покупке от 3000 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NE85633-T1B-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NE85633-T1B-A

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 20mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-MINIMOLD
Техническая документация
 177270.pdf
pdf. 0 kb
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП