Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A
;
NE85633-T1B-R25-A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NE85633-T1B-R25-A при покупке от 3000 шт 333.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NE85633-T1B-R25-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A CEL Транзистор: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL.

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Материал: Si (силикон)
    • Приложение: Усилитель сигнала
    • Рабочее напряжение: до 60 В
    • Рабочий ток: до 150 мА
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Средняя скорость перехода
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Усилитель сигналов
    • Логические операции в цифровых устройствах
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные центры и аудиосистемы
    • Профессиональное оборудование звукозаписи
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики NE85633-T1B-R25-A

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 20mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-MINIMOLD

Техническая документация

NE85633-T1B-R25-A.pdf
pdf. 0 kb
  • 15000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3000 шт
  • Количество
    Цена
  • 3000
    333 ₽
  • 9000
    259 ₽
  • 15000
    222 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NE85633-T1B-R25-A при покупке от 3000 шт 333.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NE85633-T1B-R25-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A CEL Транзистор: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL.

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Материал: Si (силикон)
    • Приложение: Усилитель сигнала
    • Рабочее напряжение: до 60 В
    • Рабочий ток: до 150 мА
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Средняя скорость перехода
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Усилитель сигналов
    • Логические операции в цифровых устройствах
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные центры и аудиосистемы
    • Профессиональное оборудование звукозаписи
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики NE85633-T1B-R25-A

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 20mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-MINIMOLD

Техническая документация

NE85633-T1B-R25-A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3000 шт