NESG220034-T1-A

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

• Основные параметры:
• V_BE — напряжение в переходе база-эмиттер.
• I_CBO — ток коллектор-база при открытом эмиттере.
• β (h_FE) — коэффициент усиления.
• P_tot — общая тепловыделенная мощность.
• V_CEO — напряжение между коллектором и эмиттером при открытой базе.
• Плюсы:
• Высокая динамическая стабильность.
• Хорошая линейность.
• Низкое значение шумового сигнала.
• Устойчивость к перегрузкам.
• Минусы:
• Невысокая мощность.
• Требуется дополнительное охлаждение для высоких значений мощности.
• Высокая чувствительность к влиянию температуры.
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения.
• Усиление сигналов.
• Переключение.
• В каких устройствах применяется:
• Радиоприемники.
• Аудиоусилители.
• Электронные часы.
• Микроконтроллеры.
• Программируемые логические устройства.