Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G
;
NGB8207ABNT4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NGB8207ABNT4G при покупке от 364 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NGB8207ABNT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G onsemi Транзистор: IGBT 365V 20A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 365В
    • Максимальный ток: 20А
    • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменными нагрузками
    • Устойчивость к перегреву благодаря технологии forced commutation
    • Высокий коэффициент усиления
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует дополнительных компонентов для работы (например, внешний резонансный контур)
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах напряжения
    • Применение в промышленных преобразователях мощности
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в системах электротранспорта
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
    • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики NGB8207ABNT4G

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    365 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    50 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 3.7V, 10A
  • Рассеивание мощности
    165 W
  • Тип входа
    Logic
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D2PAK

Техническая документация

NGB8207ABNT4G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 364 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NGB8207ABNT4G при покупке от 364 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NGB8207ABNT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G onsemi Транзистор: IGBT 365V 20A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 365В
    • Максимальный ток: 20А
    • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменными нагрузками
    • Устойчивость к перегреву благодаря технологии forced commutation
    • Высокий коэффициент усиления
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует дополнительных компонентов для работы (например, внешний резонансный контур)
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах напряжения
    • Применение в промышленных преобразователях мощности
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в системах электротранспорта
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
    • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики NGB8207ABNT4G

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    365 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    50 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 3.7V, 10A
  • Рассеивание мощности
    165 W
  • Тип входа
    Logic
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D2PAK

Техническая документация

NGB8207ABNT4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 364 шт