Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
NJVMJD112T4G
  • В избранное
  • В сравнение
NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G
;
NJVMJD112T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NJVMJD112T4G
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NJVMJD112T4G при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NJVMJD112T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G onsemi TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Мощность: 100В
    • Размер: DPAK (Dual Power Package)
    • Максимальный ток: 2А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Компактный размер
    • Надежность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требуют дополнительного охлаждения при работе на максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение потребляемого тока
    • Переключение нагрузок
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электроприводы
    • Игровые приставки и периферия
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NJVMJD112T4G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NJVMJD112

Техническая документация

 NJVMJD112T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4892 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    226 ₽
  • 10
    142 ₽
  • 500
    72 ₽
  • 2500
    58 ₽
  • 7500
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NJVMJD112T4G
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NJVMJD112T4G при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NJVMJD112T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G onsemi TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Мощность: 100В
    • Размер: DPAK (Dual Power Package)
    • Максимальный ток: 2А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Компактный размер
    • Надежность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требуют дополнительного охлаждения при работе на максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение потребляемого тока
    • Переключение нагрузок
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электроприводы
    • Игровые приставки и периферия
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NJVMJD112T4G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NJVMJD112

Техническая документация

 NJVMJD112T4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    MJE5731AGTRANS PNP 375V 1A TO220
    333Кешбэк 49 баллов
    SBC847CWT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    24Кешбэк 3 балла
    NSVBC856BM3T5GТранзистор: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
    52Кешбэк 7 баллов
    MJF3055GTRANS NPN 90V 10A TO220FP
    453Кешбэк 67 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    222Кешбэк 33 балла
    NSVT489AMT1GTRANS NPN 30V 2A 6TSOP
    88Кешбэк 13 баллов
    KSA992FBUTRANS PNP 120V 0.05A TO92-3
    59Кешбэк 8 баллов
    PZT2907AT3GTRANS PNP 60V 0.6A SOT223
    127Кешбэк 19 баллов
    BCP56-10T3GTRANS NPN 80V 1A SOT223
    71Кешбэк 10 баллов
    2SD1623T-TD-ETRANS NPN 50V 2A PCP
    164Кешбэк 24 балла
    NJVMJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    251Кешбэк 37 баллов
    NSV60601MZ4T3GTRANS NPN 60V 6A SOT223
    145Кешбэк 21 балл
    2SB1201S-TL-ETRANS PNP 50V 2A TP-FA
    291Кешбэк 43 балла
    MPS8098RLRATRANS NPN 60V 0.5A TO92
    14Кешбэк 2 балла
    2SA2039-HTRANS PNP 50V 5A TP
    91Кешбэк 13 баллов
    MJE18002TRANS NPN 450V 2A TO220
    80Кешбэк 12 баллов
    MPSW05GTRANS NPN 60V 0.5A TO92
    28Кешбэк 4 балла
    NSVMMBT6520LT1GTRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
    132Кешбэк 19 баллов
    MJD210T4GTRANS PNP 25V 5A DPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    NSS60600MZ4T1GTRANS PNP 60V 6A SOT223
    142Кешбэк 21 балл
    MJD45H11RLGTRANS PNP 80V 8A DPAK
    285Кешбэк 42 балла
    SBC856BWT1GTRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
    30Кешбэк 4 балла
    D45C12TRANS PNP 80V 4A TO220
    71Кешбэк 10 баллов
    2SA2153-TD-ETRANS PNP 50V 2A PCP
    137Кешбэк 20 баллов
    MSB92ASWT1GTRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
    47Кешбэк 7 баллов
    BC846ALT1GТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
    21Кешбэк 3 балла
    BCP69Транзистор: TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4
    24Кешбэк 3 балла
    SMMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    76Кешбэк 11 баллов
    NJV4030PT3GTRANS PNP 40V 3A SOT223
    158Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП