Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NJVMJD45H11G

NJVMJD45H11G

NJVMJD45H11G
;
NJVMJD45H11G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NJVMJD45H11G при покупке от 1 шт 252.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NJVMJD45H11G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NJVMJD45H11G

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    90MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NJVMJD45

Техническая документация

NJVMJD45H11G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3028 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    252 ₽
  • 75
    111 ₽
  • 525
    82 ₽
  • 2025
    69 ₽
  • 10050
    58 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NJVMJD45H11G при покупке от 1 шт 252.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NJVMJD45H11G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NJVMJD45H11G

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    90MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NJVMJD45

Техническая документация

NJVMJD45H11G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории