Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
NJVMJD50T4G
  • В избранное
  • В сравнение
NJVMJD50T4G

NJVMJD50T4G

NJVMJD50T4G
;
NJVMJD50T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NJVMJD50T4G
  • Описание:
    TRANS NPN 400V 1A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NJVMJD50T4G при покупке от 1 шт 195.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NJVMJD50T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NJVMJD50T4G

NJVMJD50T4G onsemi TRANS NPN 400V 1A DPAK — это транзистор на основе Si (кремний), работающий в режиме наклона (NPN). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 400 В
  • Номинальный ток коллектора: 1 А
  • Тип корпуса: DPAK (Dual Power Axial Package)

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Компактный размер корпуса DPAK для интеграции в различные устройства

Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме наклона
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Не подходит для высокочастотных приложений из-за ограничений по скорости переключения

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Привод управления моторами
  • Диодные мосты и другие схемы управления током
  • Защитные цепи

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Электроприборы
  • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики NJVMJD50T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    10MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NJVMJD50

Техническая документация

 NJVMJD50T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2299 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    195 ₽
  • 10
    122 ₽
  • 500
    62 ₽
  • 2500
    49 ₽
  • 7500
    43.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NJVMJD50T4G
  • Описание:
    TRANS NPN 400V 1A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NJVMJD50T4G при покупке от 1 шт 195.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NJVMJD50T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NJVMJD50T4G

NJVMJD50T4G onsemi TRANS NPN 400V 1A DPAK — это транзистор на основе Si (кремний), работающий в режиме наклона (NPN). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 400 В
  • Номинальный ток коллектора: 1 А
  • Тип корпуса: DPAK (Dual Power Axial Package)

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Компактный размер корпуса DPAK для интеграции в различные устройства

Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме наклона
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Не подходит для высокочастотных приложений из-за ограничений по скорости переключения

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Привод управления моторами
  • Диодные мосты и другие схемы управления током
  • Защитные цепи

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Электроприборы
  • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики NJVMJD50T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    10MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NJVMJD50

Техническая документация

 NJVMJD50T4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SA2029M3T5GTRANS PNP 50V 0.1A SOT723
    63Кешбэк 9 баллов
    MJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    MJE800STUTRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
    544Кешбэк 81 балл
    2SC5964-TD-HTRANS NPN 50V 3A PCP
    130Кешбэк 19 баллов
    TIP30CGTRANS PNP 100V 1A TO220
    143Кешбэк 21 балл
    2SC3647T-TD-ETRANS NPN 100V 2A PCP
    191Кешбэк 28 баллов
    MMBT5088LT1GТранзистор: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
    33Кешбэк 4 балла
    CPH3223-TL-ETRANS NPN 50V 3A 3CPH
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC6097-TL-ETRANS NPN 60V 3A TP
    230Кешбэк 34 балла
    SBF720T1GTRANS NPN 300V 0.1A SOT223
    39Кешбэк 5 баллов
    MJL0302AGTRANS PNP 260V 15A TO264
    546Кешбэк 81 балл
    BC847BWT1GДиод: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    14.5Кешбэк 2 балла
    NJVMJD44E3T4GTRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
    274Кешбэк 41 балл
    PZTA29TRANS NPN DARL 100V 0.8A SOT223
    141Кешбэк 21 балл
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    220Кешбэк 33 балла
    SBCP56T1GTRANS NPN 80V 1A SOT223
    131Кешбэк 19 баллов
    TIP102GТранзистор: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
    389Кешбэк 58 баллов
    2SC3646T-TD-ETRANS NPN 100V 1A PCP
    152Кешбэк 22 балла
    2SA2013-TD-EТранзистор: TRANS PNP 50V 4A PCP
    180Кешбэк 27 баллов
    FJV992FMTFTRANS PNP 120V 0.05A SOT23-3
    32Кешбэк 4 балла
    NJVNJD2873T4GTRANS NPN 50V 2A DPAK
    96Кешбэк 14 баллов
    MJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    200Кешбэк 30 баллов
    NSS40300MZ4T1GTRANS PNP 40V 3A SOT223
    155Кешбэк 23 балла
    NJVMJD50T4GTRANS NPN 400V 1A DPAK
    194Кешбэк 29 баллов
    NSV40200LT1GTRANS PNP 40V 2A SOT23-3
    113Кешбэк 16 баллов
    S2SC4617GTRANS NPN 50V 0.1A SC75 SOT416
    59Кешбэк 8 баллов
    MJD31T4GTRANS NPN 40V 3A DPAK
    117Кешбэк 17 баллов
    FJPF13009H1TUTRANS NPN 400V 12A TO220F-3
    154Кешбэк 23 балла
    TIP100GTRANS NPN DARL 60V 8A TO220
    83Кешбэк 12 баллов
    NSVBC850CLT1GTRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
    50Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП