Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NP50P04KDG-E1-AY

NP50P04KDG-E1-AY

NP50P04KDG-E1-AY
;
NP50P04KDG-E1-AY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NP50P04KDG-E1-AY при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP50P04KDG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP50P04KDG-E1-AY

NP50P04KDG-E1-AY от Renesas Electronics Corporation — MOSFET P-канальный с напряжением разрыва 40В и током непрерывного тока 50А в корпусе TO263.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS(on)) — 40В
    • Ток непрерывного тока (ID) — 50А
    • Корпус — TO263
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и токопроводимость
    • Низкое значение тока течения при открытом канале
    • Малый размер и легкость
    • Долгий срок службы и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической проектировке из-за высокой мощности
    • Необходимо учесть влияние теплового стресса при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых системах
    • Применяется в промышленном оборудовании, электронных приборах и системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Электроприводы и приводы двигателей
    • Системы управления током
Выбрано: Показать

Характеристики NP50P04KDG-E1-AY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5100 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta), 90W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NP50P04KDG-E1-AY при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP50P04KDG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP50P04KDG-E1-AY

NP50P04KDG-E1-AY от Renesas Electronics Corporation — MOSFET P-канальный с напряжением разрыва 40В и током непрерывного тока 50А в корпусе TO263.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS(on)) — 40В
    • Ток непрерывного тока (ID) — 50А
    • Корпус — TO263
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и токопроводимость
    • Низкое значение тока течения при открытом канале
    • Малый размер и легкость
    • Долгий срок службы и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической проектировке из-за высокой мощности
    • Необходимо учесть влияние теплового стресса при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых системах
    • Применяется в промышленном оборудовании, электронных приборах и системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Электроприводы и приводы двигателей
    • Системы управления током
Выбрано: Показать

Характеристики NP50P04KDG-E1-AY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5100 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta), 90W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории