Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NP75P04YLG-E1-AY
  • В избранное
  • В сравнение
NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY
;
NP75P04YLG-E1-AY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    NP75P04YLG-E1-AY
  • Описание:
    MOSFET P-CH 40V 75A 8HSONВсе характеристики

Минимальная цена NP75P04YLG-E1-AY при покупке от 1 шт 538.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP75P04YLG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Этот транзистор является полупроводниковым полем в положительном режиме (P-канальный).

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 40В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 75А
  • Емкость заряда (Qg): 8нФ
  • Стандартный корпус: SOT-223

Плюсы:

  • Высокая токовая способность.
  • Устойчивость к высоким напряжениям.
  • Малые значения емкости заряда, что обеспечивает быструю работу.
  • Низкий уровень шума и искажений.

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для работы в некоторых схемах.
  • Тепловые проблемы могут возникать при работе под нагрузкой.
  • Необходимо соблюдать правила по проектированию и термической регулировке.

Общее назначение:

  • Использование в высокопроизводительных электронных устройствах.
  • Регулировка и управление токами в различных приложениях.
  • Применяется в системах управления двигателей, преобразователях мощности, источниках питания.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильной электронике.
  • Системах управления двигателем.
  • Преобразователях мощности.
  • Источниках питания.
  • Электронных системах бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики NP75P04YLG-E1-AY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.7mOhm @ 37.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta), 138W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HSON
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Техническая документация

 NP75P04YLG-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb
  • 13086 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    538 ₽
  • 10
    389 ₽
  • 100
    270 ₽
  • 500
    229 ₽
  • 2500
    187 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    NP75P04YLG-E1-AY
  • Описание:
    MOSFET P-CH 40V 75A 8HSONВсе характеристики

Минимальная цена NP75P04YLG-E1-AY при покупке от 1 шт 538.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP75P04YLG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Этот транзистор является полупроводниковым полем в положительном режиме (P-канальный).

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 40В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 75А
  • Емкость заряда (Qg): 8нФ
  • Стандартный корпус: SOT-223

Плюсы:

  • Высокая токовая способность.
  • Устойчивость к высоким напряжениям.
  • Малые значения емкости заряда, что обеспечивает быструю работу.
  • Низкий уровень шума и искажений.

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для работы в некоторых схемах.
  • Тепловые проблемы могут возникать при работе под нагрузкой.
  • Необходимо соблюдать правила по проектированию и термической регулировке.

Общее назначение:

  • Использование в высокопроизводительных электронных устройствах.
  • Регулировка и управление токами в различных приложениях.
  • Применяется в системах управления двигателей, преобразователях мощности, источниках питания.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильной электронике.
  • Системах управления двигателем.
  • Преобразователях мощности.
  • Источниках питания.
  • Электронных системах бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики NP75P04YLG-E1-AY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.7mOhm @ 37.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta), 138W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HSON
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Техническая документация

 NP75P04YLG-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP75P04YLG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
    535Кешбэк 80 баллов
    HAT1043M-EL-E4.4A, 20V, P-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    RJK0701DPN-E0#T2MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
    808Кешбэк 121 балл
    RJK03B7DPA-00#J53MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    150Кешбэк 22 балла
    UPA622TT-E1-AMOSFET N-CH 30V 3A 6WSOF
    85Кешбэк 12 баллов
    UPA2520T1H-T1-ATMOSFET N-CH 30V 10A 8VSOF
    211Кешбэк 31 балл
    RJK0236DPA-00#J5AMOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
    246Кешбэк 36 баллов
    RJK0328DPB-00#J0MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    UPA2815T1S-E2-ATMOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
    272Кешбэк 40 баллов
    UPA2814T1S-E2-ATMOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
    298Кешбэк 44 балла
    RJK0355DSP-00#J0MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
    313Кешбэк 46 баллов
    RJK0353DPA-01#J0BMOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
    506Кешбэк 75 баллов
    FS30AS-2-T13#B00HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    287Кешбэк 43 балла
    UPA2520T1H-T2-ATMOSFET N-CH 30V 10A 8VSOF
    211Кешбэк 31 балл
    RJK03M7DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    126Кешбэк 18 баллов
    NP60N055VUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    RJK0455DPB-00#J5MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
    509Кешбэк 76 баллов
    UPA2716AGR-E1-AT
    261Кешбэк 39 баллов
    2SK3814-AZMOSFET N-CH 60V 60A TO251
    348Кешбэк 52 балла
    RJK03M4DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    RJK0390DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    RJK03M2DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
    483Кешбэк 72 балла
    RJK03M5DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    406Кешбэк 60 баллов
    NP82N04MUG-S18-AYMOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
    413Кешбэк 61 балл
    RJK03M3DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
    463Кешбэк 69 баллов
    NP75P03YDG-E1-AYMOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
    532Кешбэк 79 баллов
    RJK6014DPP-E0#T2POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    1 167Кешбэк 175 баллов
    RJK0366DPA-02#J0BMOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
    250Кешбэк 37 баллов
    RJK0349DSP-01#J0MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
    470Кешбэк 70 баллов
    RJK0332DPB-01#J0SILICON N CHANNEL POWER SWITCHI
    404Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП