Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NP80N04NDG-S18-AY
NP80N04NDG-S18-AY

NP80N04NDG-S18-AY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NEC Corporation
  • Артикул:
    NP80N04NDG-S18-AY
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 80A TO262Все характеристики

Минимальная цена NP80N04NDG-S18-AY при покупке от 160 шт 351.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP80N04NDG-S18-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NP80N04NDG-S18-AY

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    135 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta), 115W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-262
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1900 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 160
    351 ₽

Минимально и кратно 160 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NEC Corporation
  • Артикул:
    NP80N04NDG-S18-AY
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 80A TO262Все характеристики

Минимальная цена NP80N04NDG-S18-AY при покупке от 160 шт 351.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP80N04NDG-S18-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NP80N04NDG-S18-AY

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    135 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta), 115W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-262
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFSL5615PBF
    523Кешбэк 78 баллов
    IRFR1N60APBFMOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    STB140NF55T4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    319Кешбэк 47 баллов
    IRF8714TRPBFMOSFET N-CH 30V 14A 8SO
    168Кешбэк 25 баллов
    IXFH30N50Q3MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
    2 537Кешбэк 380 баллов
    APT56M50LMOSFET N-CH 500V 56A TO264
    1 974Кешбэк 296 баллов
    IXFA14N60PMOSFET N-CH 600V 14A TO263
    992Кешбэк 148 баллов
    STL90N10F7MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
    204Кешбэк 30 баллов
    ZXMP3A16N8TAMOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
    174Кешбэк 26 баллов
    SI2328DS-T1-E3MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
    204Кешбэк 30 баллов
    SIHP12N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    648Кешбэк 97 баллов
    DMT6010LFG-7MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
    194Кешбэк 29 баллов
    IRLS4030TRL7PPMOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
    923Кешбэк 138 баллов
    FDMS8848NZMOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
    278Кешбэк 41 балл
    STB45N50DM2AGMOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
    1 461Кешбэк 219 баллов
    FCH041N60EMOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
    2 585Кешбэк 387 баллов
    IPI65R280C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
    263Кешбэк 39 баллов
    STFI13N95K3MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
    1 057Кешбэк 158 баллов
    FCMT299N60MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
    900Кешбэк 135 баллов
    IXTP60N20TMOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
    1 156Кешбэк 173 балла
    RCD051N20TLMOSFET N-CH 200V 5A CPT3
    164Кешбэк 24 балла
    BFL4007-1EMOSFET N-CH 600V 8.7A TO220F-3FS
    258Кешбэк 38 баллов
    STL8P4LLF6MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
    192Кешбэк 28 баллов
    SPP80N03S2L04AKSA1MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    276Кешбэк 41 балл
    NVTFS4C05NTAGMOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
    354Кешбэк 53 балла
    STH140N8F7-2MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
    643Кешбэк 96 баллов
    IRFR320TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    NDP7050MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
    458Кешбэк 68 баллов
    PSMN8R7-80PS,127MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
    717Кешбэк 107 баллов
    NDS8425SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    187Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП