Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NP80N04PDG-E1B-AY

NP80N04PDG-E1B-AY

NP80N04PDG-E1B-AY
;
NP80N04PDG-E1B-AY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NP80N04PDG-E1B-AY при покупке от 160 шт 348.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP80N04PDG-E1B-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP80N04PDG-E1B-AY

NP80N04PDG-E1B-AY Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 80 А
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Коллектор-эмиттерное напряжение (VGS(th)): ≤ 2 В
    • Пакет: TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое напряжение включения
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и вес
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного радиатора для эффективного отвода тепла при высоких нагрузках
    • Цена может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Управление мощностью в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Мощные электронные устройства
    • Инверторы для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики NP80N04PDG-E1B-AY

  • 1000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 160 шт
  • Количество
    Цена
  • 160
    348 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NP80N04PDG-E1B-AY при покупке от 160 шт 348.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP80N04PDG-E1B-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP80N04PDG-E1B-AY

NP80N04PDG-E1B-AY Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 80 А
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Коллектор-эмиттерное напряжение (VGS(th)): ≤ 2 В
    • Пакет: TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое напряжение включения
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и вес
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного радиатора для эффективного отвода тепла при высоких нагрузках
    • Цена может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Управление мощностью в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Мощные электронные устройства
    • Инверторы для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики NP80N04PDG-E1B-AY

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 160 шт