Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
NSBA113EF3T5G
  • В избранное
  • В сравнение
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G
;
NSBA113EF3T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBA113EF3T5G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123Все характеристики

Минимальная цена NSBA113EF3T5G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA113EF3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Напряжение приключенного состояния: 50В
    • Максимальный ток: 1,1А
    • Тип корпуса: SOT1123
    • Применение: предпредзагруженные схемы
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Упрощенная схемотехника
  • Минусы:
    • Зависимость от предзагрузки
    • Необходимость дополнительного регулирования
  • Общее назначение:
    • Использование в предпредзагруженных схемах для улучшения стабильности работы
    • Регулировка напряжений в различных электронных устройствах
    • Снижение влияния шумов и помех
  • В каких устройствах применяется:
    • Стабилизаторы напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления силовыми элементами
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA113EF3T5G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    3 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    254 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-1123
  • Исполнение корпуса
    SOT-1123
  • Base Product Number
    NSBA113

Техническая документация

 NSBA113EF3T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 7999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    30 ₽
  • 1000
    14 ₽
  • 5000
    10.6 ₽
  • 24000
    8.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBA113EF3T5G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123Все характеристики

Минимальная цена NSBA113EF3T5G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA113EF3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Напряжение приключенного состояния: 50В
    • Максимальный ток: 1,1А
    • Тип корпуса: SOT1123
    • Применение: предпредзагруженные схемы
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Упрощенная схемотехника
  • Минусы:
    • Зависимость от предзагрузки
    • Необходимость дополнительного регулирования
  • Общее назначение:
    • Использование в предпредзагруженных схемах для улучшения стабильности работы
    • Регулировка напряжений в различных электронных устройствах
    • Снижение влияния шумов и помех
  • В каких устройствах применяется:
    • Стабилизаторы напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления силовыми элементами
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA113EF3T5G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    3 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    254 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-1123
  • Исполнение корпуса
    SOT-1123
  • Base Product Number
    NSBA113

Техническая документация

 NSBA113EF3T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCR142E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR198E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR183E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR135E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR148E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR141E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3
    52Кешбэк 7 баллов
    BCR503E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    60Кешбэк 9 баллов
    BCR148WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR505E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR512E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR141WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR523E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR 129 E6327BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    65Кешбэк 9 баллов
    MMUN2112LT1TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
    14Кешбэк 2 балла
    FJV3105RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    1.85Кешбэк 1 балл
    FJV3113RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    3.7Кешбэк 1 балл
    FJV3102RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    3.7Кешбэк 1 балл
    MUN5234T1GТранзистор
    3.7Кешбэк 1 балл
    DTC144TT1GTRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
    5.5Кешбэк 1 балл
    FJV3114RMTF
    5.6Кешбэк 1 балл
    FJV3104RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    5.6Кешбэк 1 балл
    DTC124XM3T5GTRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    5.6Кешбэк 1 балл
    FJV3110RMTF
    5.6Кешбэк 1 балл
    MUN5238T1GТранзистор
    5.7Кешбэк 1 балл
    MUN5141T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    MUN5138T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    MUN5240T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    MUN5140T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    MUN5116T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    DTC144TT1Транзистор
    5.7Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП