NSBA114EDXV6T1

Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR (NSBA114EDXV6T1, ON Semiconductor)

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение коллектора-;base (V_CEO): 20 В
• Максимальное напряжение эмиттера-collector (V_EE): 20 В
• Максимальная мощность (P_tot): 250 мВт
• Максимальный ток коллектора (I_C(max)): 400 mA
• Приставка "S" указывает на низкое напряжение
• Приставка "B" указывает на биполярный транзистор
• Приставка "A" указывает на малый сигнал
• Приставка "114" указывает на конкретную модель
• Приставка "D" указывает на наличие диода
• Приставка "X" указывает на наличие защитного диода
• Приставка "V" указывает на высокую скорость
• Приставка "6T" указывает на тип технологического процесса
• Приставка "1" указывает на серию
• Плюсы:
• Низкое напряжение
• Высокая скорость
• Устойчивость к шуму
• Малые размеры
• Долгий срок службы
• Минусы:
• Меньше мощности по сравнению с мощными транзисторами
• Требуют дополнительного проектирования для защиты от перегрева
• Общее назначение:
• Использование в цифровых и аналоговых цепях
• Амплитудная модуляция
• Воспроизведение звука
• Передача данных
• В каких устройствах применяется:
• Радиоприемники
• Компьютеры
• Системы управления
• Мобильные телефоны
• Автомобильные системы