Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
NSBA114TF3T5G
  • В избранное
  • В сравнение
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G
;
NSBA114TF3T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBA114TF3T5G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123Все характеристики

Минимальная цена NSBA114TF3T5G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA114TF3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (побуждаемый предварительно)
    • Напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Максимальная мощность: 14 Вт
    • Объемный коэффициент усиления: β = 300
    • Размеры: SOT1123
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Хорошая термическая стабильность
    • Простота использования в схемах
  • Минусы:
    • Высокие требования к размещению компонентов на плате из-за размеров
    • Высокий уровень шума при работе
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокого напряжения
    • Увеличение мощности в схемах
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах и преобразователях напряжения
    • Электронных блоках питания
    • Системах управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA114TF3T5G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    254 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-1123
  • Исполнение корпуса
    SOT-1123
  • Base Product Number
    NSBA114

Техническая документация

 NSBA114TF3T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 7999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    30 ₽
  • 1000
    14 ₽
  • 5000
    10.6 ₽
  • 24000
    8.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBA114TF3T5G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123Все характеристики

Минимальная цена NSBA114TF3T5G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA114TF3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (побуждаемый предварительно)
    • Напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Максимальная мощность: 14 Вт
    • Объемный коэффициент усиления: β = 300
    • Размеры: SOT1123
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Хорошая термическая стабильность
    • Простота использования в схемах
  • Минусы:
    • Высокие требования к размещению компонентов на плате из-за размеров
    • Высокий уровень шума при работе
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокого напряжения
    • Увеличение мощности в схемах
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах и преобразователях напряжения
    • Электронных блоках питания
    • Системах управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA114TF3T5G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    254 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-1123
  • Исполнение корпуса
    SOT-1123
  • Base Product Number
    NSBA114

Техническая документация

 NSBA114TF3T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTA123EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    56Кешбэк 8 баллов
    NSBC143ZF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    63Кешбэк 9 баллов
    NSVMMUN2112LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    PDTD143XTVLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    48Кешбэк 7 баллов
    DTA115EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PDTC144EU,135Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    31.5Кешбэк 4 балла
    NSBA114EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    93Кешбэк 13 баллов
    PDTC123TM,315Транзистор
    63Кешбэк 9 баллов
    PDTC114TT,235Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    28Кешбэк 4 балла
    DTC115TMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
    45.5Кешбэк 6 баллов
    DTA114YET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    3.46Кешбэк 1 балл
    DTC124EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN1104MFV,L3FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    29.6Кешбэк 4 балла
    DTA143TKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    46Кешбэк 6 баллов
    DTC144TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DTA114EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    56Кешбэк 8 баллов
    NSVDTA113EM3T5GТранзистор: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
    52Кешбэк 7 баллов
    DTC114TETLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    54Кешбэк 8 баллов
    NSVDTC123EM3T5GТранзистор: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DDTA143FCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    BCR133WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTC143ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
    43Кешбэк 6 баллов
    DTA044EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YETLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    59Кешбэк 8 баллов
    PDTA143ZU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    DTA144EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    35Кешбэк 5 баллов
    PDTC123YMB,315Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
    54Кешбэк 8 баллов
    NSBA143TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    56Кешбэк 8 баллов
    DTC143XKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    DTB143EKT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    100Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП