Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G
;
NSBA115TDP6T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSBA115TDP6T5G при покупке от 3366 шт 16.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA115TDP6T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 50В
    • Номинальная мощность (Ptot): 6Вт
    • Номинальный ток коллектора (ICBO): 1.5А
    • Номинальный ток базы (IB): 40мА
    • Технология: SOT963
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактные размеры благодаря технологии SOT963
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Необходимость дополнительного оборудования для установки из-за малых размеров
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах усиления сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых цепях
    • Работа в режимах предвыведения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства и смартфоны
    • Автомобильные системы
    • Производственное оборудование
    • Системы управления силами
    • Коммуникационные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA115TDP6T5G

  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    100kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    408mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-963
  • Исполнение корпуса
    SOT-963
  • Base Product Number
    NSBA115

Техническая документация

NSBA115TDP6T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 128000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3366 шт
  • Количество
    Цена
  • 3366
    16.7 ₽
  • 16000
    12 ₽
  • 40000
    10.9 ₽
  • 80000
    10 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSBA115TDP6T5G при покупке от 3366 шт 16.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA115TDP6T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 50В
    • Номинальная мощность (Ptot): 6Вт
    • Номинальный ток коллектора (ICBO): 1.5А
    • Номинальный ток базы (IB): 40мА
    • Технология: SOT963
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактные размеры благодаря технологии SOT963
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Необходимость дополнительного оборудования для установки из-за малых размеров
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах усиления сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых цепях
    • Работа в режимах предвыведения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства и смартфоны
    • Автомобильные системы
    • Производственное оборудование
    • Системы управления силами
    • Коммуникационные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA115TDP6T5G

  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    100kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    408mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-963
  • Исполнение корпуса
    SOT-963
  • Base Product Number
    NSBA115

Техническая документация

NSBA115TDP6T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3366 шт