NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G от ON Semiconductor

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор
  • Структура: MOSFET (MOS)
  • Рейтингный ток: 123 А
  • Рейтингное напряжение: 600 В
  • Материал: Si (silicon)
• Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Низкое значение сопротивления в режиме провода при высоком напряжении
  • Долговечность
  • Легкость управления
  • Малый размер
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение при работе на полной мощности
• Общее назначение:
  • Использование в системах управления мощностью
  • Контроль потребителей электроэнергии
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Регулирование напряжения
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильная электроника
  • Мощные источники питания
  • Промышленное оборудование
  • Электронные системы управления двигателем
  • Системы энергоснабжения зданий