Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSS20600CF8T1G

NSS20600CF8T1G

NSS20600CF8T1G
;
NSS20600CF8T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSS20600CF8T1G при покупке от 1010 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSS20600CF8T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSS20600CF8T1G

NSS20600CF8T1G onsemi TRANS PNP 20V 6A CHIPFET — это полупроводниковый транзистор ножевого типа (CHIPFET), предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 20В
    • Ток срабатывания: 6А
    • Тип: PNP (полярный)
    • Форма: CHIPFET (интегрированная технология)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких нагрузках
    • Сложность в выборе подходящего диапазона рабочих температур
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление током в различных электронных устройствах
    • Импульсное регулирование
    • Автоматизация систем управления
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Медицинское оборудование
    • Коммунальное оборудование
    • Производственное оборудование
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики NSS20600CF8T1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    6 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 400mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    220 @ 1A, 2V
  • Рассеивание мощности
    830 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    ChipFET™
  • Base Product Number
    NSS206

Техническая документация

NSS20600CF8T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 108000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 1010 шт
  • Количество
    Цена
  • 1010
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSS20600CF8T1G при покупке от 1010 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSS20600CF8T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSS20600CF8T1G

NSS20600CF8T1G onsemi TRANS PNP 20V 6A CHIPFET — это полупроводниковый транзистор ножевого типа (CHIPFET), предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 20В
    • Ток срабатывания: 6А
    • Тип: PNP (полярный)
    • Форма: CHIPFET (интегрированная технология)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких нагрузках
    • Сложность в выборе подходящего диапазона рабочих температур
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление током в различных электронных устройствах
    • Импульсное регулирование
    • Автоматизация систем управления
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Медицинское оборудование
    • Коммунальное оборудование
    • Производственное оборудование
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики NSS20600CF8T1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    6 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 400mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    220 @ 1A, 2V
  • Рассеивание мощности
    830 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    ChipFET™
  • Base Product Number
    NSS206

Техническая документация

NSS20600CF8T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 1010 шт