Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
NSS35200MR6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G
;
NSS35200MR6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSS35200MR6T1G
  • Описание:
    TRANS PNP 35V 2A 6TSOPВсе характеристики

Минимальная цена NSS35200MR6T1G при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSS35200MR6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G onsemi TRANS PNP 35V 2A 6TSOP — это полупроводниковый транзистор, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-emitter (VCEO) — 35 В
    • Ток вCollector (IC) — 2 А
    • Форм-фактор — 6TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малые размеры благодаря компактной 6TSOP оболочке
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальными токами и напряжениями
    • Могут возникать проблемы с устойчивостью при неправильном подключении или работе вне допустимых условий

Общее назначение: NSS35200MR6T1G используется в различных приложениях, требующих высокого тока и напряжения, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Электроприборы
  • Радиоэлектронная аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики NSS35200MR6T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    35 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    310mV @ 20mA, 2A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1.5A, 1.5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Base Product Number
    NSS35200

Техническая документация

 NSS35200MR6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 372760 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    161 ₽
  • 1284
    43 ₽
  • 5551
    28 ₽
  • 9000
    34 ₽
  • 21000
    31.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSS35200MR6T1G
  • Описание:
    TRANS PNP 35V 2A 6TSOPВсе характеристики

Минимальная цена NSS35200MR6T1G при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSS35200MR6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G onsemi TRANS PNP 35V 2A 6TSOP — это полупроводниковый транзистор, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-emitter (VCEO) — 35 В
    • Ток вCollector (IC) — 2 А
    • Форм-фактор — 6TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малые размеры благодаря компактной 6TSOP оболочке
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальными токами и напряжениями
    • Могут возникать проблемы с устойчивостью при неправильном подключении или работе вне допустимых условий

Общее назначение: NSS35200MR6T1G используется в различных приложениях, требующих высокого тока и напряжения, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Электроприборы
  • Радиоэлектронная аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики NSS35200MR6T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    35 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    310mV @ 20mA, 2A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1.5A, 1.5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Base Product Number
    NSS35200

Техническая документация

 NSS35200MR6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TIP32CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    164Кешбэк 24 балла
    2SB1204S-TL-ETRANS PNP 50V 8A TPFA
    165Кешбэк 24 балла
    TIP127GТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220
    165Кешбэк 24 балла
    MJD50T4GTRANS NPN 400V 1A DPAK
    166Кешбэк 24 балла
    MJD210GTRANS PNP 25V 5A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    MJD122GTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
    177Кешбэк 26 баллов
    TIP122GТранзистор: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220
    179Кешбэк 26 баллов
    BD237GТранзистор: TRANS NPN 80V 2A TO126
    181Кешбэк 27 баллов
    2N6109GTRANS PNP 50V 7A TO220
    185Кешбэк 27 баллов
    12A02MH-TL-ETRANS PNP 12V 1A 3MCPH
    187Кешбэк 28 баллов
    D45VH10GТранзистор: TRANS PNP 80V 15A TO220
    190Кешбэк 28 баллов
    MJE171TRANS PNP 60V 3A TO126
    194Кешбэк 29 баллов
    D45H8GTRANS PNP 60V 10A TO220
    197Кешбэк 29 баллов
    MJD45H11T4GТранзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    MJD44H11T4GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    MJD340GТранзистор: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    MJE172GТранзистор: TRANS PNP 80V 3A TO126
    204Кешбэк 30 баллов
    BD137GTRANS NPN 60V 1.5A TO126
    209Кешбэк 31 балл
    MJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    MJE350GTRANS PNP 300V 0.5A TO126
    215Кешбэк 32 балла
    BD13716STUТранзистор: TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
    215Кешбэк 32 балла
    BD440STRANS PNP 60V 4A TO126-3
    220Кешбэк 33 балла
    2N6111GTRANS PNP 30V 7A TO220
    222Кешбэк 33 балла
    TIP31BGTRANS NPN 80V 3A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    BD442GTRANS PNP 80V 4A TO126
    226Кешбэк 33 балла
    TIP29CGТранзистор: TRANS NPN 100V 1A TO220
    228Кешбэк 34 балла
    TIP32AGТранзистор: TRANS PNP 60V 3A TO220
    231Кешбэк 34 балла
    2N4923GTRANS NPN 80V 1A TO126
    232Кешбэк 34 балла
    MJD31CGTRANS NPN 100V 3A DPAK
    234Кешбэк 35 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП