Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G
;
NSVB123JPDXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSVB123JPDXV6T1G при покупке от 2732 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVB123JPDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разделяющем электродах (VCEO): 120 В
    • Напряжение на разделяющем электродах при переходном токе (VCB): 40 В
    • Переходной ток (IC): 1 А
    • Ток утечки (IE): ≤ 10 μА
    • Сопротивление при отсутствии тока (Ron): ≤ 70 Ω
    • Частота кроссовки (fT): 250 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая скорость срабатывания
    • Малый ток утечки
    • Компактный размер благодаря использованию SOT563 корпуса
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
    • Необходимость дополнительного охлаждения для высоких мощностей
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в схемах преобразования
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Высокочастотное управление токами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Электронные устройства для управления мощностью
    • Системы преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики NSVB123JPDXV6T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVB12

Техническая документация

NSVB123JPDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 2732 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSVB123JPDXV6T1G при покупке от 2732 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVB123JPDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разделяющем электродах (VCEO): 120 В
    • Напряжение на разделяющем электродах при переходном токе (VCB): 40 В
    • Переходной ток (IC): 1 А
    • Ток утечки (IE): ≤ 10 μА
    • Сопротивление при отсутствии тока (Ron): ≤ 70 Ω
    • Частота кроссовки (fT): 250 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая скорость срабатывания
    • Малый ток утечки
    • Компактный размер благодаря использованию SOT563 корпуса
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
    • Необходимость дополнительного охлаждения для высоких мощностей
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в схемах преобразования
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Высокочастотное управление токами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Электронные устройства для управления мощностью
    • Системы преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики NSVB123JPDXV6T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVB12

Техническая документация

NSVB123JPDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 2732 шт