Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
NSVBC114EPDXV6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G
;
NSVBC114EPDXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVBC114EPDXV6T1G
  • Описание:
    TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSVBC114EPDXV6T1G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC114EPDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G onsemi TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-Collector (VCC): 50В
    • Тип: NPN/PNP
    • Пакет: SOT563
    • Тип приложения: PREBIAS
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение вCollector-Collector
    • Поддержка NPN и PNP типов
    • Малый размер благодаря SOT563 пакету
    • Устойчивость к PREBIAS
  • Минусы:
    • Меньше доступенности по сравнению с более распространёнными типами
    • Могут быть ограничения по максимальному току при использовании в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управляющего элемента
    • Поддержка различных схемотехнических решений
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Игровые консоли
    • Электронастенные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC114EPDXV6T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVBC114

Техническая документация

 NSVBC114EPDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVBC114EPDXV6T1G
  • Описание:
    TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSVBC114EPDXV6T1G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC114EPDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G onsemi TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-Collector (VCC): 50В
    • Тип: NPN/PNP
    • Пакет: SOT563
    • Тип приложения: PREBIAS
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение вCollector-Collector
    • Поддержка NPN и PNP типов
    • Малый размер благодаря SOT563 пакету
    • Устойчивость к PREBIAS
  • Минусы:
    • Меньше доступенности по сравнению с более распространёнными типами
    • Могут быть ограничения по максимальному току при использовании в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управляющего элемента
    • Поддержка различных схемотехнических решений
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Игровые консоли
    • Электронастенные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC114EPDXV6T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVBC114

Техническая документация

 NSVBC114EPDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMF18XV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    37Кешбэк 5 баллов
    MUN5230DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    40Кешбэк 6 баллов
    SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5235DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5234DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5236DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SMUN5131DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5215DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSTB60BDW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5315DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5216DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5135DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5130DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    SMUN5237DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5334DW1T1GТранзистор
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП