Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSVBC114YPDXV65G

NSVBC114YPDXV65G

NSVBC114YPDXV65G
;
NSVBC114YPDXV65G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSVBC114YPDXV65G при покупке от 5453 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC114YPDXV65G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC114YPDXV65G

NSVBC114YPDXV65G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Объемный класс: PREBIAS
    • Мощность: 0.7 W
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 25 V
    • Максимальная мощность разряда: 150 mW
    • Технология производства: СОТ (SOT563)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Низкий уровень шума
    • Высокий коэффициент усиления
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость дополнительного предварительного усилителя
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительных усилителях
    • Применение в цифровых и аналоговых цепях
    • Работа в качестве ключа
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Автомобили и электромобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Электронные часы и другие носимые устройства
    • Промышленное оборудование и автоматизация
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC114YPDXV65G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVBC1
  • по запросу
Минимально и кратно 5453 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSVBC114YPDXV65G при покупке от 5453 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC114YPDXV65G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC114YPDXV65G

NSVBC114YPDXV65G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Объемный класс: PREBIAS
    • Мощность: 0.7 W
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 25 V
    • Максимальная мощность разряда: 150 mW
    • Технология производства: СОТ (SOT563)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Низкий уровень шума
    • Высокий коэффициент усиления
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость дополнительного предварительного усилителя
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительных усилителях
    • Применение в цифровых и аналоговых цепях
    • Работа в качестве ключа
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Автомобили и электромобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Электронные часы и другие носимые устройства
    • Промышленное оборудование и автоматизация
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC114YPDXV65G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVBC1

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 5453 шт