NSVDTA114EM3T5G

NSVDTA114EM3T5G от On Semiconductor

• Тип: MOSFET (полевоевой транзистор)
• Строечный тип: N-канальный
• Тип разряда: полупроводниковый
• Разрядная способность: 114 A
• Уровень напряжения: 1200 В
• Сопротивление: 3.7 Ω (при Tj = 25°C)
• Максимальное напряжение на дрене-источник: Vds(max) = 1200 В
• Максимальное напряжение на источнике-коллекторе: Vgs(max) = 20 В
• Максимальная мощность: 68 W
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

• Плюсы:
  • Высокая разрядная способность
  • Низкое сопротивление
  • Высокий уровень надежности
  • Компактные размеры
  • Высокая скорость переключения
• Минусы:
  • Требует наличия отвода для удаления тепла
  • Необходимо соблюдение правил защиты от перенапряжения

Общее назначение: NSVDTA114EM3T5G используется в различных приложениях, требующих высокой мощности и быстрой скорости переключения, таких как:

• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленное оборудование
• Инверторы
• Приводы электродвигателей
• Беспроводные устройства