Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G
;
NSVEMD4DXV6T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSVEMD4DXV6T5G при покупке от 10000 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVEMD4DXV6T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G onsemi Транзистор: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: Двухканальный транзистор с высоким сопротивлением
    • Тип полярности: NPN/PNP
    • Пакет: SOT563
    • Максимальный ток вCollector (ICM): 1.5 A
    • Максимальное напряжение вCollector (VCEO): 20 V
    • Размеры: 3.9 x 2.7 mm
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к шуму и помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точной настройки для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Усилитель сигналов
    • Переключение электрических цепей
    • Компенсация тока в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Устройства для управления электродвигателями
    • Промышленные контроллеры и системы автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики NSVEMD4DXV6T5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms, 10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVEMD4

Техническая документация

NSVEMD4DXV6T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 10000 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSVEMD4DXV6T5G при покупке от 10000 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVEMD4DXV6T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G onsemi Транзистор: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: Двухканальный транзистор с высоким сопротивлением
    • Тип полярности: NPN/PNP
    • Пакет: SOT563
    • Максимальный ток вCollector (ICM): 1.5 A
    • Максимальное напряжение вCollector (VCEO): 20 V
    • Размеры: 3.9 x 2.7 mm
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к шуму и помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точной настройки для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Усилитель сигналов
    • Переключение электрических цепей
    • Компенсация тока в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Устройства для управления электродвигателями
    • Промышленные контроллеры и системы автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики NSVEMD4DXV6T5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms, 10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVEMD4

Техническая документация

NSVEMD4DXV6T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 10000 шт