Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные диоды
NSVMMBD354LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G
;
NSVMMBD354LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBD354LT1G
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMMBD354LT1G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBD354LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G onsemi DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Вольтаж приключений: 7В
    • Максимальная мощность: 300мВт
    • Тип диода: Шоттки
    • Количество пинов: 3
    • Оболочка: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Низкое напряжение срабатывания (около 0.3В)
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря компактной оболочке SOT23-3
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Меньше подходят для высокочастотных приложений из-за низкой частоты кроссовки
    • Не подходит для применения в схемах с высоким уровнем дифференциального напряжения
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Обеспечение развязки сигналов
    • Использование в логических схемах
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства (сотовые телефоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Периферийное оборудование
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBD354LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky - 1 Pair Common Cathode
  • Обратное Напряжение (Макс)
    7V
  • Емкость @ Vr, F
    1pF @ 0V, 1MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVMMBD354

Техническая документация

 NSVMMBD354LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1065 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 25
    41 ₽
  • 250
    32.6 ₽
  • 1000
    29.7 ₽
  • 6000
    26 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBD354LT1G
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMMBD354LT1G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBD354LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G onsemi DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Вольтаж приключений: 7В
    • Максимальная мощность: 300мВт
    • Тип диода: Шоттки
    • Количество пинов: 3
    • Оболочка: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Низкое напряжение срабатывания (около 0.3В)
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря компактной оболочке SOT23-3
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Меньше подходят для высокочастотных приложений из-за низкой частоты кроссовки
    • Не подходит для применения в схемах с высоким уровнем дифференциального напряжения
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Обеспечение развязки сигналов
    • Использование в логических схемах
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства (сотовые телефоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Периферийное оборудование
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBD354LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky - 1 Pair Common Cathode
  • Обратное Напряжение (Макс)
    7V
  • Емкость @ Vr, F
    1pF @ 0V, 1MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVMMBD354

Техническая документация

 NSVMMBD354LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MA4P4301F-1091TRF DIODE PIN 100V 5W
    3 331Кешбэк 499 баллов
    MA4PH237-1079TДиод: RF DIODE PIN 200V 2W
    3 453Кешбэк 517 баллов
    MA4P1450-1091TRF DIODE PIN 100V 10W
    3 831Кешбэк 574 балла
    MA4P1200NM-401TRF DIODE PIN 100V 1.5W AXIAL
    4 241Кешбэк 636 баллов
    MA4P4006F-1091TДиод: RF DIODE PIN 600V 7.5W
    4 354Кешбэк 653 балла
    MA4P7441F-1091TRF DIODE PIN 100V 30W
    4 372Кешбэк 655 баллов
    MA4P4002F-1091TRF DIODE PIN 200V 7.5W SMD
    4 404Кешбэк 660 баллов
    MA4P7446F-1091TДиод: RF DIODE PIN 600V 8W
    5 443Кешбэк 816 баллов
    MA4P4001B-402RF DIODE PIN 100V 2.5W AXIAL
    7 359Кешбэк 1 103 балла
    MA47222RF DIODE PIN 150V MODULE
    27 534Кешбэк 4 130 баллов
    BA89202VH6327XTSA1RF DIODE STANDARD 35V SC79-2
    11.1Кешбэк 1 балл
    BAT1705WH6327XTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
    17.4Кешбэк 2 балла
    BAR6406WH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    20Кешбэк 3 балла
    BA592E6433HTMA1RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2
    20.4Кешбэк 3 балла
    BAR6303WE6327HTSA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW SOD323-2
    25Кешбэк 3 балла
    BAR9002ELE6327XTMA1Диод: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
    28Кешбэк 4 балла
    BAR6402ELE6327XTMA1RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP2-19
    28Кешбэк 4 балла
    BAR6302LE6327XTMA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2
    28Кешбэк 4 балла
    BAR9002ELSE6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2
    29.6Кешбэк 4 балла
    BAR6305WH6327XTSA1RF DIODE PIN 50V 250MW SOT23-3
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAR6304WH6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW SOT323-3
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAR6403WE6327HTSA1Диод: RF DIODE PIN 150V 250MW SOD323-2
    35Кешбэк 5 баллов
    BA592E6327HTSA1Диод: RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2
    37Кешбэк 5 баллов
    BAR6503WE6327HTSA1RF DIODE PIN 30V 250MW SOD323-2
    37Кешбэк 5 баллов
    BAR161E6327HTSA1RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
    39Кешбэк 5 баллов
    BAR 63-06W H6327RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
    39Кешбэк 5 баллов
    BAR6405WH6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    42Кешбэк 6 баллов
    BAR6702VH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2
    43Кешбэк 6 баллов
    BAR6404WH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BAT62E6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT143
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП